BOB半岛综合海信家电申请半导体装置专利提高半导体装置的工作热稳定性

　　BOB半岛综合专利摘要显示，本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括：第一导电类型的漂移层；第二导电类型的体区；沟槽部；第一导电类型的发射极区，发射极区设置于体区上表面且位于相邻两个沟槽部之间，在俯视观察时BOB半岛综合，沟槽部在第二方向上延伸，相邻两个沟槽部之间设置有多个在第二方向上间隔设置的发射极区，在从第二方向的中间向两侧延伸的方向上BOB半岛综合，相邻两个发射极区之间的距离逐渐减小，其中BOB半岛综合，第一方向和第二方向相互垂直BOB半岛综合。由此，这样可以优化发射极区的设置位置BOB半岛综合，使发射极区的设置位置与半导体装置不同位置的散热能力相匹配，可以提升半导体装置的散热均匀性，保证半导体装置结温一致，提高半导体装置的工作热稳定性。