三星取得半导体专利提高半导体器件的BOB半岛综合性能

　　BOB半岛综合专利摘要显示，提供了一种半导体器件和形成半导体器件的方法。该半导体器件可以包括包含第一区和第二区的衬底BOB半岛综合BOB半岛综合、在第一区上沿第一方向延伸的第一有源鳍、在第二区上与第一有源鳍平行延伸的第二有源鳍、以及在两个第一有源鳍之间的单扩散中断区。单扩散中断区可以在第一方向上彼此间隔开。半导体器件还可以包括在两个第二有源鳍之间并沿不同于第一方向的第二方向延伸的下扩散中断区BOB半岛综合、以及在下扩散中断区上的上扩散中断区BOB半岛综合BOB半岛综合。上扩散中断区可以在第一方向上彼此间隔开，每个上扩散中断区可以重叠下扩散中断区。