BOB半岛综合专利摘要显示,本公开实施例公开了一种半导体结构BOB半岛综合、封装器件及半导体结构的制造方法BOB半岛综合,所述半导体结构包括:衬底,所述衬底包括第一表面;第一焊垫BOB半岛综合,位于所述第一表面上;转接部,位于所述第一焊垫上;所述转接部包括覆盖所述第一焊垫的第一子部和覆盖所述第一子部的第二子部,其中BOB半岛综合,所述第一子部、所述第一焊垫在所述第一表面上的正投影落入所述第二子部在所述第一表面上的正投影内;焊球,位于所述第二子部上BOB半岛综合。
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