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宽禁带半导体成行业新热点 吉林华微电子迎接BOB半岛综合新挑战

发布日期:2024-01-20 12:04 浏览次数:

  BOB半岛综合据《中国电子报》报道,目前国内功率半导体企业,纷纷在宽禁带半导体产品上发力。国内主要的半导体企业均在积极布局低碳产品线,不断加大低碳类项目投入,深化低碳芯片研发及产业化。

  在节能降碳风潮的推动下,宽禁带半导体被认为是具有广阔发展前景的市场。即便当前碳化硅BOB半岛综合、氮化镓器件相较于硅器件的价格仍较高,但综合来看BOB半岛综合,应用宽禁带半导体器件将给系统带来巨大的综合收益。“双碳”浪潮下,半导体产业链各方同时用力,但谁能在这一风潮中获利,将取决于企业的生态打造能力。

  吉林华微电子宽禁带产品生产研发势头亮眼。随着低碳化产品成为持续拉动功率半导体市场增长的动力点,全球各大供应商分别推出了相关产品和解决方案。吉林华微电子抓住新的增长机遇,积极迈进“低碳”路线,努力为其发展铺就一条硬科技绿色通道。

  众所周知,宽禁带半导体具有禁带宽度宽、临界击穿电场强度大、饱和电子漂移速度高、介电常数小以及良好的化学稳定性等特点,特别是基于SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)的材料具有更高的电子迁移率,使得器件具有低的导通电阻、高的工作频率,能满足下一代电子装备对功率器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣高温工作的要求。

  在GaN(氮化镓)器件方面,吉林华微电子已开发出650V功率器件,用于消费类电源领域BOB半岛综合。对于SiC(碳化硅)器件,吉林华微电子已经完成650V~1200VSiC二极管的开发,产品处于量产阶段;同时正在加快SiCMOSFET(碳化硅功率元器件)的推广,向汽车充电桩、汽车OBC(车载充电器)和光伏储能领域进行推广。公司未来将大力发展宽禁带半导体,充分迎接低碳赛道的各项挑战。

  据中国半导体行业协会网站发布的市场数据表明,2022年全球功率半导体的销售额同比增长11%,达到1763亿人民币,实现连续第六年的增长BOB半岛综合,达到创纪录的历史最高水平。吉林华微电子经过认真研判发现,伴随着疫情冲击的减弱,社会经济活动回归正常,在新能源汽车应用BOB半岛综合、IGBT国产替代、第三代半导体迅猛的低碳化发展态势下,宽禁带半导体将给功率半导体器件带来可观的增量需求,我国功率半导体市场有望延续逆势增长。

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