BOB半岛综合长鑫存储取得半导体专利显著降低接触结构的电阻

　　BOB半岛综合金融界2024年1月15日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构“，授权公告号CN115433919BBOB半岛综合，申请日期为2022年9月BOB半岛综合。

　　专利摘要显示BOB半岛综合，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法BOB半岛综合，通过结合第一沉积工艺和第二沉积工艺，能够形成完全覆盖接触孔的侧壁的钛金属层，进而有效降低氮化钛的用量、或是避免氮化钛的使用BOB半岛综合，进而显著降低接触结构的电阻。