BOB半岛综合华为公司申请半导体器件专利半导体器件能由铁电材料和可能的附加介电材料分隔

　　BOB半岛综合金融界2024年1月30日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“在沟道周围具有铁电层的半导体器件和用于在衬底上形成半导体器件的方法“BOB半岛综合，公开号CN117480617A，申请日期为2021年6月。

　　专利摘要显示，提供了一种半导体器件，包括衬底上的至少第一硅(Si)元件(208A)和第二Si元件(208B)，以及在至少三个侧面包围所述第一Si元件和所述第二Si元件的铁电层(212)BOB半岛综合，以及布置在所述铁电层周围的栅极结构(214、218BOB半岛综合、206)。所述硅元件可以是纳米线A)或者横向间隔的鳍(408A、408B、508A、508B)。两个横向间隔的鳍或纳米线叠层可以由铁电材料和可能的附加介电材料分隔BOB半岛综合BOB半岛综合。