BOB半岛综合日,安徽省“新春第一会”——全省发扬自我革命精神 坚持严的基调 持续深化“一改两为”全面提升工作效能大会在合肥举行。会上表扬通报了强等荣誉企业,东科半导体(安徽)股份有限公司荣获安徽省“专精特新”企业
作为国家级专精特新小巨人企业,东科此次被评为省“专精特新”企业50强是对公司在持续创新能力、专业化发展战略、市场竞争优势等方面的认可,也是对公司的品牌影响力、产品质量等方面的肯定。作为国内数不多的集研发、设计、生产、销售为一体的集成电路科技创新型企业,公司始终坚持创新是企业最高效率,与北京大学信息技术学院、上海工研院等国内顶尖研发机构达成联合研发协议,共同推进第三代半导体氮化镓芯片的应用研究,着重打造集设计、研发、封装、测试为一体的完整的国内本土生态链。未来公司将继续加大研发投入,坚持以研发创新为发展驱动力,不断实现技术突破,加快公司先进技术的成果转化速度,打造全面领先的产品布局,为芯片国产化以及安徽高质量发展贡献更大力量!
在氮化镓快充市场不断拓展的过程中,电源技术水平也在不断提升,起初的氮化镓快充电源一般需要采用控制器 + 驱动 + 氮化镓功率器件组合设计,不仅电路布局较为复杂,产品开发难度相对较大,而且成本也比较高。
为了实现更高的功率密度并降低外围器件数量,目前已有许多电源芯片厂商在着手布局集成度更高的合封氮化镓芯片产品线,用一颗芯片完成氮化镓功率器件、PWM 控制、驱动、保护等功能,既能够提升整体方案的性能,同时也能减少 PCB 板的占用,缩小尺寸并减少物料成本。
目前,合封氮化镓芯片已在小功率快充产品中实现规模化商用。而随着氮化镓合封技术的不断发展,已有多家芯片原厂推出了可用于 65W 功率段的合封氮化镓芯片。
东科半导体面向 65W 快充应用,推出了 DK065G 合封氮化镓芯片,内部集成了 650V 260m Ω 氮化镓开关管,最高支持 250kHz 开关频率。芯片通过检测功率管漏极和源极之间的电压(VDS),当 VDS 达到其最低值时开启功率管,从而减小开关损耗并改善电磁干扰(EMI)。
东科 DK065G 采用 DFN8*8 封装,待机功耗低于 50mW,采用谷底开通以降低开关损耗,内置高低压输入功率补偿电路,保证高低压下最大输出功率一致,可广泛应用于高功率快充充电器、笔记本平板等产品中BOB半岛综合。
传统的 65W 氮化镓快充方案包括控制器 + 驱动器 +GaN 功率器件等,电路设计复杂,成本较高。而若采用合封氮化镓芯片,一颗芯片即可实现原有数颗芯片的功能,不仅使电源芯片外围器件数量大幅降低,而且有效降低了快充方案在高频下的寄生参数,电源工程师在应用过程中能更加方便、快捷地完成调试,加速产品研发周期。
,是一款高度集成了650V/260mΩ GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片,支持65W及以下功率应用。DK065G 检测功率管漏极和源极之间的电压(VDS),当 VDS达到其最低值时开启功率管,从而减小开关损耗并改善电磁干扰(EMI)。东科DK065G采用DFN8*8封装模式,可广泛应用于高功率密度PD快充、笔记本平板电脑适配器以及辅助和待机电源。
DK065G极大的简化了反激式AC-DC转换器的设计和制造,尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK065G具备完善的保护功能:输出过压保护(OVP),VCC过欠压保护,过温保护(OTP),开环保护,输出过流保护(OCP)等。
同步整流芯片来自东科,丝印100R10M,实际型号为DK5V100R10M,是一款零外围的同步整流芯片,内置100V耐压,10mΩ导阻的同步整流管,支持CCM,DCM和QR运行模式,可直接替代肖特基二极管,提升电源转换效率。
联想这款充电器采用白色机身,固定插脚,标准的配机充电器设计。充电器支持65W PD快充,得益于通用的USB PD接口,这款充电器除了为配套的投影仪供电外,还能为笔记本供电,十分方便。
充电头网通过拆解了解到,这款充电器采用反激拓扑,宽电压输出设计。充电器内置东科半导体的快充电源方案,为DK065G合封氮化镓芯片搭配DK5V100R10M同步整流芯片组成,通过拆解可以看到,东科这款氮化镓合封芯片电源方案的外围元件非常精简。
同时这款充电器还具备20W快充,双口同时使用时按照45+12W功率分配,满足手机和电脑同时充电需求,下面就对华科生这款65W充电器进行拆解,看看内部做工用料如何。
充电器初级主控芯片采用了一颗来自东科的合封氮化镓芯片DK065G,是一颗内部集成了650V氮化镓开关管的准谐振反激开关电源功率芯片。DK065G采用谷底开通以降低开关损耗,最高支持250kHz开关频率,待机功耗低于50mW,采用DFN8*8封装,适用于PD快充,电源适配器等应用。
同步整流芯片来自东科,丝印100R10M,实际型号为DK5V100R10M,是一款零外围的同步整流芯片,内置100V耐压,10mΩ导阻的同步整流管,支持CCM,DCM和QR运行模式,可直接替代肖特基二极管,提升电源转换效率。
充电头网通过拆解了解到,华科生这款充电器采用东科半导体的快充电源方案,为DK065G合封氮化镓芯片搭配同步整流芯片组成,通过拆解可以看到,东科这款氮化镓合封芯片的外围元件非常精简。输出协议芯片使用英集芯IP2723T和云矽XPD767的组合,实现三口快充。
从第一款氮化镓快充电源量产到如今成百上千款氮化镓新品涌入市场,短短三年时间,整个氮化镓快充电源市场的容量翻了百倍,昔日只有个别第三方配件品牌敢于尝试的氮化镓技术,如今便已成为了一线手机、笔电品牌的主流产品,不得不感叹技术迭代的魅力。目前已有多家厂商推出数十款合封氮化镓芯片,在即将举办的2022(春季)亚洲充电展上,东科将分享并展示最新推出的合封氮化镓芯片和相关技术分享。
DK025G是一款高度集成了650V/800mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片。DK025G检测功率管漏极和源极之间的电压VDS,当VDS达到其最低值时开启功率管,从而减小开关损耗并改善电磁干扰(EMI)。芯片最高支持250KHz开关频率,芯片内部集成氮化镓开关管、控制器、驱动器、高压启动电路和保护单元。
DK025G采用ESOP8封装,可通过PCB铜箔散热,简化散热要求,降低温升。这款芯片广泛应用于高功率密度快速充电器,笔记本电脑,平板电脑和机顶盒等产品的适配器。
DK025G极大的简化了反激式AC-DC转换器的设计和制造,尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK025G具备完善的保护功能:输出过压保护(OVP),VCC过欠压保护,过温保护(OTP),开环保护,输出过流保护(OCP)等。
东科推出的DK036G是一款高度集成的QR反激合封氮化镓芯片,芯片内部集成650V 400mΩ氮化镓开关管、控制器、驱动器、高压启动电路和保护单元。芯片通过内部快速频率折返功能来调制最小峰值电流,达到快速降低开关频率的目的,从而有效降低系统在轻载下的损耗,提升系统的效率。芯片采用130KHz PWM开关频率,可以有效缩小充电器的变压器体积,得到性能和成本的平衡。DK036G内置过热、过流、过压和输出短路、次级开路保护功能,采用ESOP-8封装形式,可通过PCB铜箔散热,简化散热要求,降低温升。可以广泛应用于PD快充和电源适配器。
东科DK045G是一款高度集成了 650V/400mΩ GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片,支持45W及以下功率应用。DK045G 检测功率管漏极和源极之间的电压(VDS),当 VDS达到其最低值时开启功率管,从而减小开关损耗并改善电磁干扰(EMI)。东科DK045G采用PDFN5*6封装模式,可广泛应用于高功率快充充电器,笔记本平板等适配器以及辅助和待机电源。
DK045G 极大的简化了反激式 AC-DC 转换器的设计和制造,尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK045G 具备完善的保护功能:输出过压保护(OVP),VCC 过欠压保护,过温护(OTP), 开环保护,输出过流保护(OCP)等。
东科DK065G是一款高度集成了 650V/260mΩ GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片,支持65W及以下功率应用。DK065G 检测功率管漏极和源极之间的电压(VDS),当 VDS达到其最低值时开启功率管,从而减小开关损耗并改善电磁干扰(EMI)。东科DK065G采用PDFN8*8封装模式,可广泛应用于高功率快充充电器,笔记本平板等适配器以及辅助和待机电源。
DK065G极大的简化了反激式AC-DC转换器的设计和制造,尤其是需要高转化效率和高功率密 度的产品。DK065G具备完善的保护功能:输出过压保护(OVP),VCC过欠压保护,过温保护(OTP), 开环保护,输出过流保护(OCP)等。
6月21日,临近中午,拨通东科半导体(安徽)股份有限公司董事长谢勇的电话,远在深圳的他,正带领团队“马不停蹄”进行市场调研。“我们将进一步着眼于高端市场的开拓,不断加大创新力度,研发更多芯片新品,加快实现做大做强!”
坐落于马鞍山经开区的东科半导体,是一家集集成电路研发、设计、生产、销售为一体的国家级高新技术企业。凭借心无旁骛的创新创造,其自主研发的电源管理“中国芯”,不仅性能跻身国内一流,部分技术更是达到世界领先水平,在行业发展的赛道上不断跑出“加速度”。
“在芯片领域,创新就是生命。”谢勇告诉记者,近年来,得益于众多关键核心技术的加持,“东科造”芯片逐步实现进口替代,电源管理芯片已成功应用于美的、海尔、格兰仕等品牌的家电产品和大量移动数码产品上,企业也由此进入了快速发展的阶段。面向未来,要始终保持高速发展的势头,必须通过自主创新加快产品迭代升级,加速转型抢占高端市场。
早在多年前,东科便率先在氮化镓(GaN)芯片应用领域进行研发布局。和第一代的单晶硅以及第二代的砷化镓相比,第三代氮化镓芯片具有能效更高、尺寸更小等优势。“经过持续不断的研发创新,今年,公司氮化镓芯片已进入到大规模量产阶段,这是我们冲击高端市场的又一‘利器’。”谢勇表示,随着5G时代的到来,电源管理芯片在智能家居、新能源汽车等领域的应用场景不断拓宽。“我们同时也会对电源管理芯片不断进行迭代升级,力争抢占更多市场份额。”
“公司迁入新址后,将新建氮化镓超高频AC-DC电源管理芯片封装线、氮化镓应用模组封装线等,研发生产更多高技术含量、高附加值的芯片新品。”谢勇透露,项目建成后,还计划与北京大学上海微电子研究院合作建立马鞍山分院,打造集设计、生产、封装、测试为一体的电子信息产业基地。
“落户马鞍山以来,园区始终想企业之所想、办企业之所需,全心全力、高质高效提供服务,一流的营商环境令我们印象深刻。”谢勇说,特别是今年疫情期间,1000多万元的留抵退税款和各类奖补资金迅速到账,为企业研发生产注入了资金“活水”,极大增强了企业加快发展的信心。
科技浪潮,生生不息;持续创“芯”,步履不停。“面向未来,东科将坚定不移创新、创新、再创新,用更新技术、更多新品积极开拓高端市场,立足马鞍山不断做强、做优、做大,为马鞍山‘在产业高质量发展上争做高地’,全力推动制造业倍增注入更多强劲澎湃的‘芯’动能。”谢勇表示。
走进马鞍山经开区东科半导体(安徽)股份有限公司车间,伴随着转塔式测试编带一体机高速运转,一颗颗氮化镓电源管理芯片正进行出厂前的最后“体检”:500毫秒内,耐压度等多项指标测试一气呵成,“通过者”随后进入编带封装环节。
年轻的测试工程师方大伟,专门负责为每款产品量身定制“体检”方案,在芯片设计、制造、测试、封装等整个生产过程中起到质量“把关人”的关键作用。
“集成电路测试的能力和水平是保证集成电路性能、质量的关键手段之一。”方大伟告诉记者,在芯片设计阶段产品出样后,他们会根据设计提供的产品技术参数,设计开发芯片测试模块和系统,通过测试评估产品各项参数是否达到设计要求,并将测试结果进行反馈,帮助进一步优化芯片设计。
“对于不同的芯片,我们会针对性地设计开发不同的测试模块和系统,做到精准高效,一般一个周期需要一两个月时间。” 方大伟说,如今随着半导体工艺复杂程度的提升,测试环节的工作量也随之大大增加。
既要把控良率、保证质量,测试工作还常常需要“和时间赛跑”。“别人是分秒必争,我们基本上是毫秒必争。”方大伟说,芯片制造流水作业,如果单颗芯片测试时间过长,势必造成整条产线的生产效率大幅降低。如何在保证质量的同时提高速度,需要在测试环节进行大量的优化工作。
“这样的问题,我们在实际工作中常常遇到。”方大伟举例说,前段时间,为了提升产量满足市场需要,他和同事们用了近三个月时间反复更新优化测试模块及系统,大幅降低了测试时间,让单个机台产量从3800颗/小时提升到5400颗/小时,生产效率提升近50%。
近年来,随着东科在马鞍山市不断发展壮大,大量新品量产上市,方大伟的工作“节奏”也比过去快了很多,不变的是他始终秉持的严谨细致、认真负责的工作态度。
“不管是芯片还是其他任何产品,质量都是核心和关键。”方大伟表示,他将和同事们继续努力,当好芯片质量“把关人”,让更多设备用上先进可靠的“马鞍山造”芯片。
作为第三代半导体氮化镓电源管理芯片的领军企业,自2016年开始BOB半岛综合,东科半导体积极布局氮化镓电源芯片的应用领域,但是企业急需一支科技创新团队。怎么办?人才不求所有,但求所用。在成立青岛研发中心、无锡研发中心之后,2019年11月,东科半导体有限公司与上海微技术工业研究院成立联合开发实验室,并与北京大学签署联合研发协议。
东科半导体与上海微技术工业研究院达成合作,马鞍山经开区功不可没。马鞍山相比上海的区位条件、生活配套等方面存在较大差距,全职引进上海微技术工业研究院的人才团队来马鞍山工作很难实现。经过反复磋商,马鞍山市提出了一个全新的合作模式——建立“研发飞地”,合作设计研发。2020年3月,东科半导体氮化镓芯片成功流片,产品各参数指标均符合要求,性能指标等同或部分超出国外同类产品BOB半岛综合。2020年8月,东科半导体正式发布国内首创合封45W氮化镓电源管理芯片。截至目前,东科半导体已经推出了多个功率段的合封氮化镓芯片产品。
据介绍,总投资近5亿元的东科半导体超高频氮化镓电源管理芯片项目一期已步入施工收尾阶段,即将竣工交付。同时该公司还将在上海成立研发中心,打造集设计、生产、封装BOB半岛综合、测试为一体的电子信息产业基地。
已进入中国半导体企业100强的东科半导体,为马鞍山探索建设“研发飞地”迈出了扎实的一步,也让企业的发展“飞”出一片新天地。
东科半导体(安徽)股份有限公司总经理谢勇接受马鞍山日报采访:将创新写入基因 做电源芯片领跑者
“2021年上半年,销售一路高歌猛进,增长率甚至达100%;下半年,受外贸影响,销售增长率有所放缓,及时调整策略后,第四季度和第三季度相比,增长率仍达30%。”谈及2021年,东科半导体(安徽)股份有限公司总经理谢勇满面春风。
东科半导体主要从事高频高效绿色电源IC和大功率电源IC的设计、生产、制造和销售。2020年,公司完成A轮融资,所融资金主要用于氮化镓芯片量产、同步整流芯片品质提升及扩产,提升其芯片设计及封装测试能力,助力国产芯片“强芯”之路。“2020年,企业产值2.35亿元。2021年,企业产值达4亿元。”谢勇介绍,成长的底气来自于科研投入BOB半岛综合。东科半导体于2020年科研投入1000多万元,2021年达到2400多万元。
“将科技创新写入企业基因,才有可能实现领跑”。谢勇介绍,公司成立以来,始终专注技术研发,各项产品都拥有完整的自主知识产权。目前,公司已拥有12条封装生产线亿片;还建成马鞍山集成电路重点实验室,打造集成电路企业平台,服务周边封测企业,助力国内芯片水平提升;拥有发明专利12个,实用新型专利39个,集成电路布图设计专有权50个。
“我们的第三代半导体氮化镓芯片已经小规模量产。2022年,争取全面量产,销售突破1亿元。”谢勇表示。
东科半导体资深应用工程师李朝亮先生将出席2021(秋季)USB PD&Type-C 亚洲大会并发表演讲
2021(秋季)USB PD&Type-C 亚洲大会将于11月26日在深圳南山区科兴科学园举办,安徽省东科半导体深圳分公司资深应用工程师李朝亮先生将出席本次峰会并发表演讲,演讲主题为:《合封GaN加速推进快充时代步伐---东科半导体》。
东科半导体(安徽)股份有限公司是国内为数不多的集研发、设计、生产、销售为一体的集成电路科技创新型企业,是国家级专精特新小巨人企业,2022年荣获安徽省专精特新50强企业。公司分别在青岛、北京、无锡、马鞍山、深圳设立有5个研发中心,一个封测基地。公司采用市场少有的“Fabless+封测”的经营模式,在具备自主芯片设计能力的同时,拥有自主封测能力。公司产品主要方向是高性能模拟和数模混合类电源管理芯片,第三代化合物半导体电源管理芯片和其他模拟类芯片。
公司已先后与北京大学集成电路学院等国内领先的研发机构及高校达成联合研发及成果转化协议,共同推进现有产品的更新换代以及第三代氮化镓芯片的研发及应用研究。其中氮化镓电源管理芯片产品性能指标达到或部分超出国际同类产品。公司拥有2.5万平方生产线亿只芯片,为全球用户提供一站式电源解决方案。
2022年6月21日,东科半导体董事长、总经理谢勇先生接受马鞍山发布电话访谈时表示:“面向未来,东科将坚定不移创新、创新、再创新。全力推动制造业倍增注入更多强劲澎湃的‘芯’动能。”
2022年五一劳动节到来之际,马鞍山日报宣传部前往东科半导体股份有限公司车间,东科半导体测试工程师方大伟接受采访时表示:将和同事们继续努力,当好芯片质量“把关人”,让更多设备用上先进可靠的“马鞍山造”芯片。
为鼓励东科半导体人才引进与研发合作,马鞍山市提出了全新的合作模式——建立“研发飞地”,合作设计研发,总投资近5亿元的东科半导体超高频氮化镓电源管理芯片项目一期已步入施工收尾阶段,即将竣工交付。
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