BOB半岛综合美新半导体“TMR磁传感器”专利获授权

发布日期：2024-03-17 16:19 浏览次数：

　　BOB半岛综合”的专利，授权公告号为CN220584384U，授权公告日为2024年3月12日BOB半岛综合，申请日为2023年8月17日BOB半岛综合BOB半岛综合。

　　本实用新型提供一种TMR磁传感器，其包括：耦接于电源端和输出端之间的第一桥臂；耦接于输出端和接地端之间的第二桥臂；第一桥臂和第二桥臂中的一个为阻值随磁场变化的电阻，另一个为阻值不随磁场变化的电阻BOB半岛综合，第一桥臂和第二桥臂形成于同一个衬底上BOB半岛综合，阻值随磁场变化的电阻包括多个磁隧道结，在电流流过阻值随磁场变化的电阻时，电流在磁隧道结的结区的流动方向与所述衬底的表面垂直；在电流流过阻值不随磁场变化的电阻时，电流的流动方向与所述衬底的表面平行。这样，采用一次退火方式就可以实现所述TMR磁传感器，无需采用软磁材料屏蔽TMR磁传感器中的桥臂实现单芯片集成，降低了TMR磁传感器工艺制造的难度。