完全自主产权 中国第四代半导体新突破！6英寸氧化镓BOB半岛综合单晶实现产业化

　　BOB半岛综合快科技3月21日消息，近日，杭州镓仁半导体有限公司宣布BOB半岛综合，公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室。

　　采用自主开创的铸造法，成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。

　　杭州镓仁半导体，也成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬备技术的产业化公司。

　　据介绍，氧化镓因其优异的性能和低成本的制造，成为目前最受关注的超宽禁带半导体材料之一，被称为第四代半导体材料。

　　该材料主要用于制备功率器件、射频器件及探测器件，在轨道交通、智能电网、新能源汽车、光伏发电BOB半岛综合、5G移动通信BOB半岛综合、国防军工等领域，均具有广阔应用前景。

　　第一，铸造法成本低，由于贵金属Ir的用量及损耗相比其他方法大幅减少，成本显著降低；

　　第三BOB半岛综合，铸造法拥有完全自主知识产权，中国和美国专利已授权，为突破国外技术垄断，实现国产化替代奠定坚实基础。

　　目前而言，日本的NCT在氧化镓衬底方面，仍占据着领先地位BOB半岛综合，但国内也总体呈现追赶态势。