BOB半岛综合半导体的基本知识

　　BOB半岛综合获得足够的随机热振动能量而挣脱共价键束缚成为自由电子时（本征激发），半导体便具备了一定的导电能力。

　　但与良导体相比，本征硅晶体内自由电子数量较少BOB半岛综合，因而其导电性能远不及导体。

　　因为空穴表示共价键中失去了一个带负电荷的电子，所以认为其带有与电子电荷等量的正电荷。

　　空穴也可以移动，它实际上反映了受束缚的价电子的移动，只是移动方向与价电子移动方向相反。

　　当温度升高时BOB半岛综合，将产生更多的自由电子和空穴，意味着载流子的浓度升高，晶体的导电能力也会增强。 即本征半导体的电导率将随温度的升高而增加。

　　在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化BOB半岛综合。 掺入的杂质主要是三价或五价元素。 掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。

　　因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴

　　在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成； 自由电子是少数载流子， 由热激发形成

　　因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子

　　在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供； 空穴是少数载流子, 由热激发形成。

　　提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质

　　● 在本征（纯净）半导体中掺入杂质，一方面可以显著提高半导体的导电能，另一方面可以减小温度对半导体导电性能的影响。 此时BOB半岛综合，半导体的导电要取决于掺杂浓度。 在纯净的半导体中掺入受主杂质BOB半岛综合，可制成 P 型半导体； 而

　　掺入施主杂质，可制成 N 型半导体。 空穴导电是半导体不同于金属导体的重要

　　在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。 此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:

　　当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏； 反之称为加反向电压，简称反偏。

　　在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。

　　当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN

　　● PN 结是构成半导体二极管和其他半导体器件的基础，它是由 P 型半导体和 N 型半导体，在不同载流子浓度差异作用下，在交界面处形成的特殊区域。

　　● 当 PN 结外加正向电压（正向偏置）时，耗尽区变窄，有较大电流流过； 而当外加反向电压（反向偏置）时，耗尽区变宽，没有电流流过或电流极小，这就是半导体二极管的单向导电性，也是二极管最重要的特性。 PN 结还有两个重要特性：反向击穿特性和电容效应。