BOB半岛综合氮化镓_电子产品世界

　　BOB半岛综合3月20日，春分时期，万物复苏，SEMICON China 2024在上海新国际博览中心拉开了序幕。现场一片繁忙热闹，据悉本次展会面积达90000平方米，共有1100家展商、4500个展位和20多场会议及活动涉及了IC制造、功率及化合物半导体、先进材料、芯车会等多个专区。本次展会中，碳化硅、氮化镓等第三代半导体产业链格外亮眼，据全球半导体观察不完全统计，共有近70家相关企业带来了一众新品与最新技术，龙头企业颇多，材料方面包括Resonac、天域半导体、天岳先进、天科合达等企业，设备端则如晶盛机电、中微公司

　　根据韩国媒体THE ELEC的报导，模拟芯片大厂德州仪器(TI)的一位高层表示，该公司正在将其多个晶圆厂生产的6英寸氮化镓(GaN)芯片，转移到8英寸晶圆厂来生产。报导指出，德州仪器韩国公司经理Jerome Shin在首尔举行的新闻发布会上表示，德州仪器正在达拉斯和日本会津准备兴建8英寸晶圆厂，这将使其能够提供更具价格竞争力的GaN芯片JeromeShin指出，人们普遍认为GaN芯片比碳化硅(SiC)芯片更昂贵，但这种看法自2022年以来发生了转变。因为德州仪器正在将其生产由6英寸晶圆厂转换为8英寸晶圆厂

　　近日，美国GaN器件厂商Odyssey宣布出售公司资产。目前，Odyssey已与客户签署最终协议，将其大部分资产出售给一家大型半导体公司，交易金额为952万美元，目前买家信息处于保密状态。资料显示，Odyssey成立于2019年，专注基于专有的氮化镓（GaN）处理技术开发高压功率开关元件和系统，拥有一座面积为1万平方英尺的半导体晶圆制造厂，配备了一定比例的1000级和10000级洁净空间以及先进半导体开发和生产工具，致力于推出工作在650V和1200V的垂直氮化镓场效应晶体管。偿还贷款和交易费用后，公司预

　　引言随着技术的迅速发展，人们对电源的需求亦在不断攀升。为了可持续地推动这一发展，太阳能等可再生能源被越来越多地用于电网供电。同样，为了实现更快的数据处理BOB半岛综合、大数据存储以及人工智能(AI)，服务器的需求也在呈指数级增长。鉴于这些趋势，设计人员面临着一项重大挑战：如何在持续提升设计效率的同时，在相同的尺寸内实现更高的功率。这一挑战已经推动了氮化镓(GaN)在高压电源设计中的广泛应用，原因在于GaN具有两大优势：●   提高功率密度。GaN的开关频率较高，使设计人员能够使用体积更小的无源器件（

　　自2018年10月25日，Anker发布全球首款GaN充电器，将GaN正式引入消费电子领域以来，短短几年间，各大GaN厂商纷纷涉足相关产品。当前，GaN消费电子产品市场已是一片红海，竞争日趋激烈。面对GaN在消费电子领域应用现状，相关企业开始寻求新的增量市场，GaN技术应用由此逐步向新能源汽车、光伏、数据中心等其他应用场景延伸。GaN的特殊价值，正在消费电子之外的多个领域持续释放。01GaN正在加速“上车”在汽车电动化与智能化趋势下，汽车搭载的电子电力系统越来越多。而与传统硅材料相比，基于GaN材料制备的

　　英飞凌科技股份公司近日宣布与Worksport Ltd.合作，共同利用氮化镓（GaN）降低便携式发电站的重量和成本。Worksport将在其便携式发电站转换器中使用英飞凌的GaN功率半导体GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飞凌GaN晶体管后，该功率转换器将变得更轻、更小，系统成本也将随之降低。此外，英飞凌还将帮助Worksport优化电路和布局设计，进一步缩小尺寸并提高功率密度。Worksport首席执行官Steven Rossi表示：“英飞凌高质量标准和稳固的供应链为我们提供了

　　意法半导体推出灵活多变的同步整流控制器，提高硅基或氮化镓功率转换器能效

　　2024 年3 月7 日，中国——意法半导体SRK1004同步整流控制器降低采用硅基或GaN 晶体管的功率转换器的设计难度，提高转换能效，目标应用包括工业电源、便携式设备充电器和AC/DC适配器。SRK1004的检测输入能够承受高达190V 的电压，可以连接高低边功率开关管。共有四款产品供用户选择，仅器件选型就可以让用户优化应用设计，通过选择5.5V或9V的栅极驱动电压，可以在设计选用理想的逻辑电平MOSFET

　　当今，快充市场正迎来前所未有的机遇与挑战。风暴仍在继续，快充市场的迅猛发展，用户对于充电器的功率需求也在不断增大；移动设备的普及，用户对于充电器体积的要求也越来越高；同时为了在激烈的市场竞争中脱颖而出，低成本是每个快充产品必须考虑的因素。种种这些都对快充技术的要求愈发严格，不仅需要高效率、高功率，还需要适应多样化的标准和满足用户个性化的需求。在种种挑战之下，PI推出了InnoSwitch5-Pro 离线反激式开关IC，在内部集成750V或900V PowiGaN™初级开关、初级侧控制器、FluxLink™

　　据云塔科技官微消息，1月15日BOB半岛综合，中国科学技术大学微电子学院孙海定教授牵头的国家重点研发计划“战略性科技创新合作”重点专项“基于第三代半导体氮化镓和氮化钪铝异质集成射频微系统芯片研究”项目启动会暨实施方案论证会在云塔科技（安努奇）举行。据悉，该项目是由中国科学技术大学牵头，香港科技大学作为香港方合作单位以及安徽安努奇科技有限公司作为参研单位，共同开展联合攻关。面向国家在高频、大带宽和高功率密度战略性高端通信芯片和射频模组的迫切需求，开展基于第三代半导体氮化镓和氮化钪铝（GaN/AlScN）异质集成射频微系统

　　就在几个月之前，一则消息被各大媒体平台报道：2023年7月3日，为维护国家安全和利益，中国相关部门发布公告，决定自8月1日起，对镓和锗两种关键金属实行出口管制。至此有不少不关注该领域的读者突然意识到，不知道从什么时候开始，我国的镓和锗已经悄悄成为了世界最大的出口国。根据一份中国地质科学院矿产资源研究所2020年的一份报告显示，目前镓的世界总储量约 23 万吨，中国的镓金属储量居世界第一，约占世界总储量的 80%-85%，而我国的镓产量则是压倒性的占到了全球产量的90%到95%。而作为镓的化合物，砷化镓、氮

　　1月12日消息，日前，半导体解决方案供应商瑞萨电子与氮化镓（GaN）器件领导者Transphorm达成最终协议，根据协议，瑞萨电子的子公司将以每股5.10美元的价格收购Transphorm，较Transphorm 在1月10日的收盘价溢价约35%，总估值约为3.39亿美元。此次收购将为瑞萨提供GaN的内部技术，从而扩展其在电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源、工业电源以及快速充电器/适配器等快速增长市场的业务范围。据悉，瑞萨将采用Transphorm的汽车级GaN技术来开发新的增强型

　　美国弗吉尼亚理工学院BOB半岛综合、州立大学和NexGen电力系统公司首次对垂直氮化镓（GaN）功率晶体管的动态电阻（ RON）和阈值电压（VTH）稳定性进行了实验表征。研究人员研究了额定电压高达1200V（1.2kV）的NexGen结型场效应晶体管（JFET）器件BOB半岛综合。动态 RON描述了开关晶体管的电阻相对于稳定直流状态下的电阻的增加。该团队评论道：“这个问题可能会导致器件的导通损耗增加，并缩短器件在应用中的寿命。”研究人员将NexGen的650V/200mΩ和1200V/70mΩ级GaN JFET（

　　第三代半导体材料是指以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料。与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度，更高的击穿电场、热导率以及电子饱和速率，并且在抗辐射能力方面也具有优势。这些特性使得第三代半导体材料制备的半导体器件适用于高电压、高频率场景，并且能够以较少的电能消耗获得更高的运行能力。因此，第三代半导体材料在5G基站、新能源车、光伏、风电BOB半岛综合、高铁等领域具有广泛的应用潜力。其中，碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，在汽车电子领域具有广泛的应用前景。在新能源汽车领域，

　　宜普电源转换公司将在CES 2024展示基于氮化镓技术的消费电子应用场景

　　PC公司的氮化镓专家将在国际消费电子展(CES)上分享氮化镓技术如何增强消费电子产品的功能和性能 增强型氮化镓(eGaN®)FET和IC领域的全球领导者宜普电源转换公司(EPC)将在CES 2024展会展示其卓越的氮化镓技术如何为消费电子产品在功能和性能方面做出贡献 ，包括实现更高效率、更小尺寸和更低成本的解决方案。CES展会期间，EPC的技术专家将于1月9日至12日在套房与客户会面、进行技术交流、讨论氮化镓技术及其应用场景的最新发展。氮化镓技术正在改变大批量消费应用的关键领域包括：推动人工智能

　　意法半导体新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和价值

　　意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽禁带半导体技术简化电源设计，实现最新的生态设计目标。意法半导体的MasterGaN产品家族集成两颗650V高电子迁移率GaN晶体管(HEMT)与优化的栅极驱动器、系统保护功能，以及在启动时为器件供电的集成式自举二极管。集成这些功能省去了设计者处理GaN晶体管栅极驱动开发难题。这两款产品采用紧凑的电源封装，提高了可靠性，减少了物料成本，简化了电路布局。这两款新器件内置两个连接成半桥的Ga