BOB半岛综合揭开半导体的神秘面纱——基础知识

　　BOB半岛综合生活中所有的物体按照导电性大致可分为三类：导体、半导体、绝缘体。这个很好理解，物体要么导电，要么不导电，要么有一点点导电，正是这种半推半就、不清不楚的物质给物理学家不同的发挥空间。

　　太绝对的导电和不导电的物质没什么意思，而在不同情况下导电性发生变化的东西才是有意思的。

　　绝缘体:电导率很低，约介于20E－18S/cm～10E－8S/cm,如熔融石英及玻璃；

　　导 体：电导率较高，介于10E4S/cm～10E6S/cm，如铝、银等金属。

　　自然界中常见的元素半导体有硅、锗，据说锗基半导体比硅基半导体还要更早发现和应用，但是硅的天然优势就是便宜！

　　即使自然界中硅砂很多，但硅砂中包含的杂质太多，缺陷也太多，不能直接拿来用，需要对它进行提炼。

　　如同我们剥橘子的时候，里面有很多瓣橘子（多晶橘子），而且不同瓣的橘子味道不一样（晶体方向），我们要选味道最好的一瓣橘子，选出来让这瓣橘子单独长大！

　　物理学家还是很聪明的BOB半岛综合，发明了一种长单晶的办法，叫柴可拉斯基法，可能方法就是以这名科学家名字命名的。

　　因为在长单晶时就是把小的晶体往上拔！拔的时候速度有点慢，来看看这个装置：

　　图中的这个蓝色的圆棒就是单晶硅，在提拉的时候一边旋转一边往上拔，提拉法长出来的晶锭就是圆柱体了。

　　晶圆就是这样被生产出来了。虽然我们得到了晶圆，此时的单晶硅电化学性能还不行，不能直接用来做芯片，工程师们于是想办法改造单晶硅的电化学性能。

　　先深入了解一下硅元素，在元素周期表中BOB半岛综合，硅排列在第14位，硅原子最外层有4个电子，分别与周围4个原子共用4对电子，这种共用电子对的结构称为共价键(covalent bonding)。

　　左边这张图是单晶硅的晶体结构，为金刚石晶体结构。右边这张图是硅原子共用电子的情况，中间一个硅原子和四个硅兄弟共用电子。

　　突然有一天，有个物理学家想到一个问题，要是硅家不是和硅兄弟共用电子，把其他兄弟拉进群会怎样？

　　砷兄弟最外层有5个电子，其中4个电子找到了硅家的对象，另外一个电子单着了，这个电子成了无业游民，到处流窜，由于电子带有电荷，于是改变了硅家的导电性。

　　为啥叫N型？在英文里Negative代表负，取这个单词的第一个字母，就是N。

　　同样，物理学家想，既然可以拉电子多的砷元素进群，那么是否也可以拉电子少的硼原子进群？于是物理学家把硼原子拉进来试试。

　　由于硼原子最外层只有3个电子，比硅少一个，于是本来2对电子的共价键现在成了只有一对电子BOB半岛综合，多了一个空位，成了带正电的空穴(hole)。

　　此时的硅基半导体被称为p型半导体，同样P来自英文单词Positive(正极)的首字母，而硼原子则被称为受主。

　　下图是加入元素碲(最外层5个电子)和元素硼(最外层3个电子)后，形成的P型和N型半导体。

　　当我们有了单晶硅，并且可以想办法将单晶硅表面氧化成二氧化硅。二氧化硅可作为许多器件结构的绝缘体，或在器件制作过程中作为扩散或离子注入的阻挡层。如在p‒n结的制造过程中，二氧化硅薄膜可用来定义结的区域。来张示意图看看，(a)显示无覆盖层的硅晶片，正准备进行氧化步骤，图(b)只显示被氧化晶片的上表层。

　　有了P型和N型半导体的理论知识，还可以玩点复杂的，对二氧化硅表面进行改造，改造成我们想要的图形，比如画只猫，画朵花等…

　　利用高速旋涂设备(spinner)，在晶片表面旋涂一层对紫外(UV)光敏感的材料，称为光刻胶(photoresist)。将晶片从旋涂机拿下之后在80ºC～100ºC之间烘烤，以驱除光刻胶中的溶剂并硬化光刻胶，加强光刻胶与晶片的附着力。接下来使用UV光源，通过有图案的掩模版对晶片进行曝光。然后，使用缓冲氢氟酸作酸刻蚀液来移除没有被光刻胶保护的二氧化硅表面。最后，使用化学溶剂或等离子体氧化系统剥离(stripped)光刻胶。看看示意图：

　　文字说的有点复杂，直观理解有点像刻印章，先在石头上用颜料涂个模型，然后按照模型的尺寸进行雕刻，基本是这个道理。印章有阳刻和阴刻的区别，晶圆也是这样，根据光刻胶的选取不同，也能实现阳刻和阴刻，人们选用的光刻胶称为正胶和负胶。

　　光刻后的硅表面暴露于外界中，此时物理学家在这个硅表面通过不同方法加入其它元素，称为离子注入。

　　因为注入B或者As离子以后，这些离子加入到硅家以后改变了硅家的传统，硅的电化学性能发生了改变，此时的半导体叫做非本征(extrinsic)半导体。而由P型半导体和N型半导体接触形成的结称为p-n结！我们在掺杂完成以后，需要想办法将这个半导体的性能引出，于是将这个半导体表面金属化，欧姆接触(ohmic contact)和连线(interconnect)在接着的金属化步骤完成，金属薄膜可以用PVD或CVD来形成。随着金属化的完成，p‒n结就可以工作了！

　　将它俩拼接在一起，你看看我，我看看你，P家的空穴想去N家串串门，N家的电子也想去P家看看。

　　它们分别往对方的阵地走，走着走着它们猛然发现，电子可以掉进空穴里，空穴可以完全接纳电子，在它们碰到的地方既没有了空穴，也没有了电子（因为复合了），这个区域称为耗尽区。

　　PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。

　　PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。

　　(1)PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流，PN结导通BOB半岛综合。

　　(2)PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流，PN结截止。

　　在科学家发明了PN结，并找到PN结的特性以后，就要开始进入实用化阶段了。

　　基于二极管的单向导通特性，可以用它来进行整流、检波、限幅、钳位、开关、元件保护、温度补偿等。

　　举个二极管半波整流的例子，在电路中使用二极管后BOB半岛综合，电压可以正向通过，无法反向通过，因此留下正向半波电压。

　　二级管在工作时加反向电压，称作稳压管。稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。

　　(1)二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。

　　(2) 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。

　　PN结是一切半导体器件的基础，就如同大米和面粉是粮食的基础，面粉可以做成包子、馒头、面包、面条…