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普及 100TB SSD,消息称三星明年推出第 10 代 NAND:三重堆叠技术,最高 430 层
台积电升级 CoWoS 封装技术,计划 2027 推出 12 个 HBM4E 堆栈的 120x120mm 芯片
台积电亚利桑那州第二座晶圆厂制程工艺升级至2nm 是为AI相关强劲需求
RISC-V MCU IDE MRS(MounRiver Studio)开发之:设置工程编码字符集
字符是各种文字和符号的总称,包括各国家文字、标点符号、图形符号、数字等。字符集是多个字符的集合BOB半岛综合,字符 ...
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AI 火热催生 HBM 需求,消息称三星电子有意引入 SK 海力士使用的 MUF 封装工艺
新思科技与英特尔深化合作,以新思科技IP和经Intel 18A工艺认证的EDA流程加速先进芯片设计
光刻技术进化BOB半岛综合,ASML 探索 Hyper-NA EUV:2030 推进至 0.7nm 工艺
为刻蚀终点探测进行原位测量,使用SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀终点探测
以工艺窗口建模探索路径:使用虚拟制造评估先进DRAM电容器图形化的工艺窗口
e络盟现供应Panasonic Industry先进太阳能逆变器和电动汽车充电系统组件
芯华章与啄木鸟半导体建立EDA深度合作 打造完备RISC-V芯片验证与测试解决方案
晶心科技与元视芯打造全球首款采用RISC-V的车规级CMOS图像传感器
台积电亚利桑那州第二座晶圆厂制程工艺升级至2nm 是为AI相关强劲需求
据外媒报道,台积电本月8日在官网宣布,他们在亚利桑那州建设的第二座晶圆厂,制程工艺将由最初计划的3nm升级为更先进的2nm,量产时间也由2 ...
4 月 30 日消息,三星电子今日披露了第一季度财报数据:按合并财务报表口径计算的公司今年第一季度营业利润为 6 606 万亿韩元(IT之家 ...
4 月 29 日消息,据《首尔经济日报》今日引述业内人士消息称BOB半岛综合,除了最近宣布的 M15X 计划之外,SK 海力士还在考虑建设一家新的内存工 ...
4月29日消息,美国对中国的封锁进一步加剧,甚至不想让ASML为已经卖给中国的光刻机提供售后维护服务,不过在ASML看来,这么做影响并不大, ...
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为规避限制,消息称华为正在开发国产HBM存储器。消息中指出,华为正加快在中国建立高带宽内存(HBM)的国内生产能力。此举可以解决阻碍该公 ...
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挑战英伟达B100,AmpereOne-3芯片明年亮相:256核,支持PCIe 6.0和DDR5
Ampere Computing 公司首席产品官 Jeff Wittich 近日接受采访时表示,将于今年晚些时候推出 AmpereOne-2,配备 12 个内存通道,改 ...
据外媒最新消息称,美国要求禁止日韩荷工程师为中企维修芯片制造设备。报道中提到,因对华为开发先进芯片的担忧日益加剧BOB半岛综合,美国正推动日本、 ...
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