第三代半导体龙头BOB半岛综合 共话“换道超车”

　　BOB半岛综合据天岳先进董事长宗艳民介绍，相较于传统半导体材料，第三代半导体材料具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。第三代半导体在半导体照明、新能源汽车、新一代移动通信、新能源并网、高速轨道交通等领域具有广阔的应用前景。在技术、市场与政策驱动下，近年来国内涌现出多家第三代半导体领域的龙头公司。

　　作为专注于功率半导体的IDM公司BOB半岛综合，华润微早在多年前就布局了第三代半导体。华润微总裁李虹表示，公司目前6英寸的碳化硅和氮化镓晶圆线均已稳定量产，如碳化硅JBS、碳化硅MOS能比肩国际先进水平，向在工业和汽车领域的较多标杆客户批量出货。

　　芯联集成同样积极布局第三代半导体。据公司总经理赵奇介绍，2024年公司还将建成国内首条8英寸碳化硅MOSFET产线，该业务对公司营业收入的贡献还将持续快速提升。

　　“自成立以来，天岳先进集中精力做好一件事，就是要把材料做出来，能够产业化，还要赶超海外。目前这个目标我们已经做到了。”宗艳民表示。

　　目前，全球第三代半导体行业整体处于起步阶段，并正在加速发展。与会嘉宾纷纷表示，相比硅基半导体，我国在第三代半导体领域和国际上处于同一起跑线，有望实现“换道超车”。李虹认为，从事碳化硅衬底和外延的国内头部厂家从产量、质量上已经接近国际先进水平，未来基于规模化、良率提升等成本进一步下降，将非常具有竞争力。

　　赵奇亦表达了相似观点，在器件领域，国内企业碳化硅二极管、氮化镓器件都已实现国产化，未来进口替代数量将进一步提升。

　　从材料端来看，天岳先进在半绝缘衬底、车规级衬底应用已经走在前列。宗艳民表示：“目前碳化硅衬底不仅能够满足国内需求，而且还实现了向海外输出。”

　　对于“碳化硅产业能否实现实质性突破”一问，与会嘉宾坦言“仍存在不小挑战”，其根本在于性价比能否优于IGBT。赵奇认为，只有当碳化硅器件的成本达到对应IGBT器件成本的2.5倍以下时，才是碳化硅器件大批量进入商业化应用的时代。衬底、外延、器件生产的良率不断提升，是需要整个产业链通力合作的一个重要降成本方向。

　　“相较于硅基材料，第三代半导体的制造难度大幅提升BOB半岛综合，缺陷率也明显更高。另外在封装阶段，围绕碳化硅特性的新封装材料和封装工艺仍在探索和攻关。”李虹进一步呼吁，“产业链上下游需要通力合作，尽最大的努力缩短并赶超国际水平。”

　　为进一步整合上下游资源，提升市场竞争力，行业头部公司正在加紧产业布局，与会嘉宾也积极倡议产业政策加大对上下游合作的支持。宗艳民提出，希望政府能够继续引导产业链上下游加强合作，共同构建我们国家第三代半导体的竞争优势。

　　对于未来市场需求和增长空间BOB半岛综合，与会嘉宾均认为第三代半导体属于蓝海市场。李虹判断，碳化硅市场目前正处于成长期：一是碳化硅主要的应用市场正处于快速发展期；二是碳化硅、氮化镓由于其高压高温高频特性，在很多应用领域逐步替代硅基产品的市场份额，可以预期，未来一两年碳化硅功率器件市场将有质的变化。

　　赵奇分析了未来碳化硅器件四个主要的应用场景，分别是新能源车的主驱逆变器、车载充电机、光伏/风力电站和储能的逆变器、大于万伏的超高压输配电BOB半岛综合。其认为，电动车800V超充技术升级后，2024年会是碳化硅器件大量使用到车载主驱逆变器的一年。

　　谈及未来产业格局和市场博弈焦点，赵奇表示，“国内第三代半导体产业正在从‘春秋时代’进入‘战国时代’，一定会出现激烈竞争，这也是产业成熟化的必由之路。市场博弈的焦点会是技术领先性、技术创新能力、规模大小BOB半岛综合、性价比。”

　　处于产业链上游的天岳先进，对于市场需求的爆发有着直观的感受。宗艳民表示：“目前英飞凌、博世等海外头部企业的扩产力度很强。期待国内的制造厂商持续加大扩产力度，抓住行业发展的机遇，巩固中国市场的优势。”

　　李虹同样认为：“目前入局第三代半导体的企业众多，大家都在积极努力往产业化的道路上耕耘。对于第三代半导体的前景和未来，公司充满信心。”