芯联集成获得发明专利授权：“BOB半岛综合金属薄膜的制造方法及半导体器件的制造方法”

　　BOB半岛综合证券之星消息，根据企查查数据显示芯联集成(688469)新获得一项发明专利授权，专利名为“金属薄膜的制造方法及半导体器件的制造方法”，专利申请号为CN9.0，授权日为2024年6月14日。

　　专利摘要：本发明提供了一种金属薄膜的制造方法及半导体器件的制造方法，所述金属薄膜的制造方法包括：提供一衬底；执行第一温度成膜工艺，以形成第一金属薄膜于所述衬底上；以及，执行第二温度成膜工艺，以形成第二金属薄膜于所述第一金属薄膜上，所述第二温度高于所述第一温度，所述第一金属薄膜和所述第二金属薄膜构成的金属薄膜为掺铜铝膜。本发明的技术方案能够避免金属薄膜出现铜析出的问题，从而避免导致对金属薄膜刻蚀时出现刻蚀残留。

　　今年以来芯联集成新获得专利授权40个，较去年同期增加了37.93%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了15.29亿元，同比增82.25%。

　　由证券之星根据公开信息整理，由算法生成(网信算备240019号)，与本站立场无关，如数据存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策BOB半岛综合。

　　证券之星消息，根据企查查数据显示芯联集成(688469)新获得一项发明专利授权，专利名为“金属薄膜的制造方法及半导体器件的制造方法”BOB半岛综合，专利申请号为CN9.0，授权日为2024年6月14日。

　　专利摘要：本发明提供了一种金属薄膜的制造方法及半导体器件的制造方法，所述金属薄膜的制造方法包括：提供一衬底；执行第一温度成膜工艺BOB半岛综合，以形成第一金属薄膜于所述衬底上；以及，执行第二温度成膜工艺，以形成第二金属薄膜于所述第一金属薄膜上，所述第二温度高于所述第一温度，所述第一金属薄膜和所述第二金属薄膜构成的金属薄膜为掺铜铝膜。本发明的技术方案能够避免金属薄膜出现铜析出的问题，从而避免导致对金属薄膜刻蚀时出现刻蚀残留BOB半岛综合。

　　今年以来芯联集成新获得专利授权40个BOB半岛综合，较去年同期增加了37.93%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了15.29亿元，同比增82.25%。

　　由证券之星根据公开信息整理，由算法生成(网信算备240019号)，与本站立场无关，如数据存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。