BOB半岛综合卓胜微申请基体的背面处理方法和半导体器件的形成方法相关专利降低半导体结构制造成本

　　BOB半岛综合金融界 2024 年 8 月 4 日消息，天眼查知识产权信息显示，江苏卓胜微电子股份有限公司申请一项名为“基体的背面处理方法和半导体器件的形成方法“，公开号 CN5.5 ，申请日期为 2024 年 4 月BOB半岛综合。

　　专利摘要显示BOB半岛综合，本申请公开了一种基体的背面处理方法和半导体器件的形成方法。该基体的背面处理方法包括以下步骤：提供基体BOB半岛综合，基体的一侧依次具有半导体结构和阻挡层，基体的另一侧具有第一绝缘层；采用第一湿法刻蚀工艺去除第一绝缘层和部分阻挡层BOB半岛综合，第一湿法刻蚀工艺对第一绝缘层和阻挡层具有第一刻蚀选择比，第一刻蚀选择比大于 35：1；采用该背面处理方法可以使半导体器件正面部分不被刻蚀破坏，进而省去了购买半导体结构背面刻蚀机的费用，降低了半导体结构的制造成本BOB半岛综合。