BOB半岛综合甬矽电子申请半导体封装结构及其制备方法专利提高封装结构的散热性能、减小热冲击带来的应力形变对器件的影响

　　BOB半岛综合金融界 2024 年 8 月 4 日消息，天眼查知识产权信息显示，甬矽电子（宁波）股份有限公司申请一项名为“半导体封装结构及其制备方法“BOB半岛综合，公开号 CN0.4BOB半岛综合，申请日期为 2024 年 7 月。

　　专利摘要显示BOB半岛综合，本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体封装结构包括具有导电线路的布线结构、位于布线结构上的介质层、位于介质层上且通过介质层与导电线路电连接的芯片、用于将芯片封装于介质层上的塑封层以及冷却结构；布线结构具有凹槽、第一散热孔和第二散热孔；冷却结构位于凹槽内且与导电线路电连接；冷却结构与凹槽的内壁之间的间隙形成第二散热孔，冷却结构通电产生振动以使第一散热孔处的热量通过第二散热孔与外界空气形成气流压差BOB半岛综合。该半导体封装结构能提高封装结构的散热性能、减小热冲击带来的应力形变对器件的影响BOB半岛综合。