BOB半岛综合新洁能取得沟槽功率半导体器件及制造方法专利提高功率半导体器件的可靠性

　　BOB半岛综合金融界 2024 年 9 月 6 日消息，天眼查知识产权信息显示BOB半岛综合，无锡新洁能股份有限公司取得一项名为“沟槽功率半导体器件及制造方法“，授权公告号 CN112420845B，申请日期为 2020 年 11 月BOB半岛综合。

　　专利摘要显示，本发明涉及一种沟槽功率半导体器件，在漏极金属上设有第一导电类型衬底、第一导电类型外延层BOB半岛综合，在第一导电类型外延层上设有第二导电类型体区与第二导电类型阱区，在第二导电类型体区内开设有第一类沟槽，在第二导电类型阱区内开设有第二类沟槽，所述第二类沟槽围绕所述第一类沟槽设置，所述第二导电类型体区的第二导电类型杂质的浓度峰值大于第二导电类型阱区的第二导电类型杂质的浓度峰值，本发明能够提高功率半导体器件的终端耐压BOB半岛综合BOB半岛综合，提高功率半导体器件的可靠性。