河北同光半导体取得专利实现将源于生长区石墨件腐蚀引起的包裹物分布控制在晶体边缘BOB半岛综合

　　BOB半岛综合金融界2024年9月8日消息，天眼查知识产权信息显示BOB半岛综合，河北同光半导体股份有限公司取得一项名为“一种低包裹物密度SiC晶体的生长装置及生长方法“，授权公告号CN117737858B，申请日期为2024年2月。

　　专利摘要显示，本申请提供一种低包裹物密度SiC晶体的生长装置及生长方法，属于晶体生长技术领域BOB半岛综合。该生长装置，包括：籽晶固定件、籽晶BOB半岛综合、石墨坩埚、感应线圈、保温组件和耐腐蚀过滤组件；SiC粉料置于石墨坩埚底部；耐腐蚀过滤组件置于石墨坩埚内，并置于SiC粉料上方；耐腐蚀过滤组件为平顶金字塔结构BOB半岛综合，包括多层微孔TiC环和设置于顶层的微孔TiC板；其中，下层微孔TiC环内径和外径大于上层，且下层微孔TiC环内径小于或等于上层外径；微孔TiC环和微孔TiC板经碳化工艺碳化处理获得。本申请平顶金字塔状的耐腐蚀过滤组件能够实现料区向上输运气态组分中C颗粒的完全过滤，同时，实现调控气态SiC组分的输运方向，实现将源于生长区石墨件腐蚀引起的包裹物分布控制在晶体边缘。

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