BOB半岛综合专利摘要显示,一种半导体存储器包括:衬底,其具有多个有源区;多条字线,其形成在衬底中,并且设置在在第一方向上延伸的多个字线沟槽中;多个单元焊盘图案,其位于多个有源区上;多个位线结构,其形成在衬底上BOB半岛综合,并且在垂直于第一方向的第二方向上延伸;以及多个隔离绝缘图案BOB半岛综合BOB半岛综合,其填充在第二方向上在多个单元焊盘图案之间延伸的多个隔离沟槽的至少一部分BOB半岛综合,其中,多个隔离绝缘图案中的每一个包括彼此连接并且形成为整体的隔离绝缘线部分和隔离绝缘间隔件部分。隔离绝缘线部分和隔离绝缘间隔件部分设置在多个隔离沟槽中的交替的隔离沟槽中,并且在第二方向上延伸。这种结构设计能够提高半导体存储器的性能BOB半岛综合。
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