BOB半岛综合台积电申请存储器单元及半导体器件专利能优化存储器单元结构

　　BOB半岛综合金融界 2024 年 9 月 13 日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“存储器单元及半导体器件“BOB半岛综合，公开号 CN7.8 ，申请日期为 2024 年 5 月。

　　专利摘要显示BOB半岛综合BOB半岛综合，存储器单元包括第一有源区和第二有源区以及第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构接合第一和第二有源区，分别形成第一下拉晶体管和第一上拉晶体管。第二栅极结构接合第一和第二有源区，分别形成第二下拉晶体管和第二上拉晶体管。存储器单元还包括电耦合到第一和第二下拉晶体管的第一源极/漏极接触通孔、电耦合到第一和第二上拉晶体管的第二源极/漏极接触通孔、电耦合到第一栅极结构的第一栅极接触件和电耦合到第二栅极结构的第二栅极接触件。在存储器单元的俯视视角下BOB半岛综合BOB半岛综合，第一和第二源极/漏极接触通孔中的一个的面积大于第一栅极接触件和第二栅极接触件中的任一个的面积。本申请的实施例还提供了一种半导体器件。