云南鑫耀半导体申请一种BOB半岛综合改善砷化镓单晶片总厚度偏差的方法专利总厚度偏差在加工后保证在 5um 内

　　BOB半岛综合金融界 2024 年 9 月 25 日消息，国家知识产权局信息显示，云南鑫耀半导体材料有限公司申请一项名为“一种改善砷化镓单晶片总厚度偏差的方法”的专利，公开号 CN 118682573 A，申请日期为 2024 年 6 月。

　　专利摘要显示，本发明涉及半导体材料制备技术，尤其涉及一种改善砷化镓单晶片总厚度偏差的方法，通过将 PE 膜从圆心处裁掉固定尺寸的圆形缺口，并将剩余圆环形膜层平整粘贴于抛光机 Plate 上，然后将晶片放置于洒有还原剂的吸附垫上，吸附垫粘贴在陶瓷盘上，所述晶片在陶瓷盘上沿圆周等距布置，晶片的主定位边沿陶瓷盘半径指向陶瓷盘圆心，然后将陶瓷盘置于抛光机 Plate 上，启动抛光机进行加工；调转晶片放置于再次放置于吸附垫上，所述晶片的主定位边沿陶瓷盘半径指向陶瓷盘边缘BOB半岛综合，再次启动抛光机进行加工。本发明实现了砷化镓单晶片的总厚度偏差在加工后保证在 5um 内，获得的单晶片的厚度一致性好、平整度高BOB半岛综合，解决了厚度偏差过大引起的外延缺陷BOB半岛综合BOB半岛综合，满足晶片外延的表面需求。

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