三星申请半导体器件专利实现高效半导体结构设计BOB半岛综合

　　BOB半岛综合专利摘要显示，本公开提供了半导体器件BOB半岛综合。一种半导体器件包括第一线图案、栅电极BOB半岛综合、半导体图案、栅绝缘层和第一间隔物。第一线图案在衬底上并与衬底分隔开。栅电极围绕第一线图案并交叉第一线图案BOB半岛综合。半导体图案在第一线图案的两侧BOB半岛综合。栅绝缘层设置在栅电极与第一线图案之间，并且栅绝缘层围绕第一线图案。第一间隔物在第一线图案与衬底之间，并且第一间隔物在栅绝缘层与半导体图案之间BOB半岛综合。半导体图案包括朝向栅电极凹陷并设置在第一间隔物上的第一部分以及设置在第一部分上并设置在第一线图案上的第二部分。