晶合集成申请半导体结构的制备方法及半导体结构专利改善外延沉积后的光刻识别及对位BOB半岛综合

　　BOB半岛综合晶合集成申请半导体结构的制备方法及半导体结构专利，改善外延沉积后的光刻识别及对位

　　金融界2023年12月7日消息BOB半岛综合，据国家知识产权局公告BOB半岛综合，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构“BOB半岛综合，公开号CN117174574A，申请日期为2023年11月。

　　专利摘要显示，本披露公开了一种半导体结构的制备方法及半导体结构BOB半岛综合。制备方法包括：提供一衬底，衬底上形成有光刻标记，所述光刻标记为所述衬底上的、具有侧壁、底部和向上的开口的凹陷；在光刻标记的底部形成氧化物层，该氧化物层覆盖所述底部；在光刻标记内进行第一外延生长以形成第一外延层，第一外延层覆盖光刻标记的底部的氧化物层并封闭光刻标记的开口BOB半岛综合，第一外延层的晶格方向与所述衬底的晶格方向一致；以及在衬底的上表面进行第二外延生长以形成第二外延层，第二外延层覆盖衬底与第一外延层的上表面。通过在光刻标记底部形成氧化物层，可以使得光刻机能够透过外延层识别到下面的光刻标记，从而可以改善外延沉积后的光刻识别及对位。