BOB半岛综合专利摘要显示,本申请提供了一种半导体器件BOB半岛综合、电子芯片和电子设备,不仅实现了外延层的压应力与张应力的均衡,避免外延层开裂,也减少了外延层的缺陷,进而提高半导体器件的可靠性,延长半导体器件的寿命。半导体器件可以包括层叠设置的衬底、第一缓冲层、第二缓冲层和沟道层。其中,第一缓冲层包括层叠设置的至少两层第一子缓冲层,至少两层第一子缓冲层之间层叠设置第二子缓冲层。至少两层第一子缓冲层分别采用第一材料BOB半岛综合,第二子缓冲层采用第二材料BOB半岛综合BOB半岛综合。第一材料所含的元素和第二材料所含元素不完全相同BOB半岛综合。
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