BOB半岛综合能华半导体在“器件的奥林匹克盛会”上发表1200V GaN相关最新成果！

　　BOB半岛综合国际电子器件大会（IEDM）始于1955 年，是集成电路器件领域的顶级会议，在国际半导体技术界享有很高的学术地位和广泛的影响力，被誉为“器件的奥林匹克盛会”。

　　IEDM 影响力巨大，是全球报道半导体及电子器件领域最新的科技、设计、制造、物理及建模的主要论坛，也是高校BOB半岛综合、研发机构和行业领军企业报告其技术突破的重要平台。每年IntelBOB半岛综合、Samsung、TSMC 和IBM 等国际知名半导体公司都会利用这个会议发布其最新研究成果。

　　基于江苏能华和东南大学长期的技术合作，共同开发了超薄缓冲层(UTB)外延技术，全球首次报道1200V GaN 高低压兼容制备工艺，基于该技术研制的1200V GaN 半桥集成芯片实现了800V/1MHz/175℃条件下无串扰工作。

　　该成果体现了GaN 器件在1200V 应用领域的优势，将领衔推动GaN 器件在1200V 应用领域的广泛应用。

　　江苏能华微电子科技发展有限公司创办于2010年，是一家专业设计BOB半岛综合、生产和销售以氮化镓（GaN）为代表的化合物半导体高性能晶圆BOB半岛综合、器件的高新技术企业。

　　公司核心技术团队由国家级领军人才朱廷刚博士带领，成员包括从外延生长、器件设计BOB半岛综合、工艺制程到封装测试各环节的专家。目前公司的产品线涵盖氮化镓外延片、氮化镓功率场效应管、氮化镓集成功率器件以及氮化镓芯片代工等。公司产品技术参数在行业中处于领先地位，各类产品已实现规模化生产，并拥有一批国内外知名客户。