半导体BOB半岛综合电子元器

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　　鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，激光沉积设备PLD、离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等离子体CVD、热丝CVD、原子层沉积设备ALD超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）成套设备团簇式太阳能薄膜电池中试线、OLED中试设备（G1、G2.5）其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉真空镀膜机专用电源/真空镀膜机控制系统及软件直流溅射电源、RF射频溅射电源、高精度热蒸发电源、高能直流脉冲电源（中频可调脉宽）、控制系统及软件团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。线Pa。典型用户：浙江大学光学仪器国家重点实验室。采用磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积PECVD技术，设计制造了团簇式太阳能薄膜电池中试线。典型用户：中科院电工所。采用热丝法，设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与生产。典型用户：中国科学院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。典型用户：武汉国家光电实验室。设计制造了科研型的磁控溅射仪，典型用户：南方科技、哈尔滨工业大学、南京大学、浙江大学、南开大学、武汉理工大学。设计制造了磁控溅射生产型设备，用于半导体器件的生产，典型用户：武汉光迅科技有限公司、深圳彩煌热电技术公司。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。典型用户：香港城市大学先进材料实验室、吉林奥来德光电材料股份有限公司。设计制造了电子束镀膜机。典型用户：武汉理工大学、南方科技大学、中国计量大学。设计制造了高真空电阻热蒸发镀膜机、高真空电极制备镀膜机。典型用户：江苏大学、北京大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年与中国科技大学合作设计设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作制造了金刚石外延设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。鹏城半导体 发展里程2023年02月 鹏城半导体参加《鹏城半导体亮相第八届国际第三代半导体论坛&第十九届中国国际半导体照明论坛》；01月 鹏城半导体-《-种超高真空磁控溅射靶以及磁控溅射装置》于2023年01月17日被正式授予《国家知识产权局实用新型专利证书》，专利号：ZL8.7；01月 鹏城半导体-《一种用于热丝薄膜沉积的热丝固定组件》于2023年01月17日被正式授予《国家知识产权局实用新型专利证书》，专利号：ZL8.4；2022年12月 鹏城半导体荣获AAA级企业信用证书；12月 鹏城半导体通过ISO9001质量体系认证；12月 鹏城半导体-《一种线槽组件以及电控模组》于2022年12月02日被正式授予《国家知识产权局实用新型专利证书》，专利号：ZL0.5；11月 鹏城半导体参加《中国物理学会2022秋季学术会议》 11月 鹏城半导体参加《第六届国际碳材料大会暨产业展览会》；11月 鹏城半导体参加《第八届国际第三代半导体论坛（IFWS 2022）&第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2022）》 10月 鹏城半导体参加《第十五届中国微纳电子技术交流与学术研讨会》 08月 鹏城半导体参加《2022碳基半导体材料与器件论坛》 08月 鹏城半导体参加《第十七届全国MOCVD 学术会议》；07月 鹏城微纳-《多功能磁控溅射系统软件V1.0》于2022年06月29日被正式授予《中华人民共和国国家版权局计算机软件著作权登记证书》，登记号为2022SR0864974。07月 鹏城微纳-《高真空热蒸发薄膜沉积系统软件V1.0》于2022年06月29日被正式授予《中华人民共和国国家版权局计算机软件著作权登记证书》，登记号为2022SR0864980。07月 鹏城微纳-《立式多功能热丝CVD沉积系统软件V1.0》于2022年06月29日被正式授予《中华人民共和国国家版权局计算机软件著作权登记证书》，登记号为2022SR0864979。05月 鹏城半导体-《PVD薄膜沉积系统软件V1.0》于2022年05月17日被正式授予《中华人民共和国国家版权局计算机软件著作权登记证书》，登记号为2022SR0590529。05月 鹏城半导体- 《高线日被正式授予《中华人民共和国国家版权局计算机软件著作权登记证书》，登记号为2022SR0595136。05月 鹏城半导体-《微米晶、纳米晶金刚石薄膜CVD沉积系统软件》于2022年05月20日被正式授予《中华人民共和国国家版权局计算机软件著作权登记证书》，登记号为2022SR0613210。05月 鹏城半导体-《电子束蒸镀薄膜沉积系统软件V1.0》于2022年05月20日被正式授予《中华人民共和国国家版权局计算机软件著作权登记证书》，登记号为2002SR0613209。04月 鹏城半导体-高端半导体外延设备亮相2022“芯力量”大赛 03月 鹏城微纳技术(沈阳)有限公司-子公司成立；01月 国华三新—鹏城半导体签约仪式在深圳举行；2021年12月 鹏城半导体与深圳市晶富能源达成战略合作伙伴关系；12月 鹏城半导体参加《第二十三届中国国际高新技术成果交易会》；12月 鹏城半导体参加《第七届国际第三代半导体论坛第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSL CHINA2021）》，获品牌力量奖；11月 鹏城半导体受国际共生联盟邀请参与深圳市宝安区科技局领导的专场沟通会；11月 鹏城半导体参加《第四届光电材料与器件发展研讨会》；11月 鹏城半导体参加《第五届粤港真空科技创新发展论坛暨广东省线届传感器与MEMS技术产业化国际研讨会（暨成果展）》；11月 鹏城半导体参加《关于第四届全国宽禁带半导体学术会议》；09月 鹏城半导体技术（深圳）有限公司成立；

　　矽万（上海）半导体科技有限公司是一家致力于设计、研发、生产、销售和服务高精密半导体设备的高新技术中外合资企业。我们专注于为客户提供PicoMaster无掩模激光直写光刻机，包括设备的安装调试、工艺改进、软件开发、以及可选配的涂胶显影清洗设备等。我们的产品和服务主要应用于全息防伪、半导体、微纳光学器件、掩模版制作、光学衍射器件、微流控芯片、MEMS器件等领域。 公司注册于上海浦东国家自由贸易区，在上海设有技术服务中心，在荷兰设有生产研发中心，其母公司为注册在香港的Simax Asia Pacific Limited。我们已于2019年和2020年分别在深圳和武汉建立了演示中心 2021年3月上海演示中心也建成并投入使用。演示中心将在3D光刻软件开发、客户定制设计、客户工艺改进等方面发挥巨大作用。 我们以“品质创造价值，服务实现共赢”为经营理念。通过先进的技术，严格的质量管控，为客户提供完整的高品质解决方案。

　　8月11日，精测电子发布公告称，公司控股子公司深圳精积微近日与客户签订了销售合同，拟向客户出售半导体前道检测设备，总交易金额合计173,229,000元。精测电子表示，若本合同能顺利履行，预计将会对公司经营成果产生积极影响。本合同的签署，是公司与该客户在良好合作基础上进一步加深了双方的合作关系，体现了客户对公司半导体测试设备的高度认可，有助于拓展公司品牌影响力，提升公司的市场竞争力。此外，本合同的履行对公司的业务独立性不构成影响，公司主要业务不会因履行合同而对当事人形成依赖。资料显示，精测电子主要从事显示、半导体及新能源检测系统的研发、生产与销售。公司目前在显示领域的主营产品涵盖LCD、OLED、Mini/Micro-LED等各类显示器件的检测设备，包括信号检测系统、OLED调测系统、AOI光学检测系统和平板显示自动化设备等；在半导体领域的主营产品分为前道和后道测试设备，包括膜厚量测系统、光学关键尺寸量测系统、电子束缺陷检测系统和自动检测设备（ATE）等；在新能源领域的主要产品为锂电池生产及检测设备，主要用于锂电池电芯装配和检测环节等，包括锂电池化成分容系统、切叠一体机、锂电池视觉检测系统和BMS检测系统等。半导体产业化过程，设备先行，半导体前道检测设备是制约我国半导体制造产业的“卡脖子”难题，以美国科磊半导体为代表的国际巨头占据了全球量测检测设备大部分的市场。在政府引导和下游市场需求的双重推动下，越来越多的国产设备企业投入到半导体测试领域。精测电子在半导体领域致力于半导体前道量测检测设备以及后道电测检测设备的研发及生产，在光学领域自主开发针对集成电路微细结构及变化的OCD测量、基于人工智能深度学习的OCD人机交互简便易用三维半导体结构建模软件等核心技术，在电子束领域自主开发了半导体制程工艺缺陷全自动检测、晶圆缺陷自动识别与分类等核心技术，填补了国内空白。此外，公司在半导体光学、半导体电子光学及泛半导体领域积极进行项目研发，在半导体单/双模块膜厚测量设备、高性能膜厚及OCD测量设备、半导体硅片应力测量设备、FIB-SEM双束系统、全自动晶圆缺陷复查设备、DRAMRDBI测试设备BOB半岛综合、CP/FTATE设备等方面积累了大量经验，形成了较好技术沉淀。

　　湿电子化学品是半导体、集成电路等多个领域的重要基础性关键化学材料，是当今世界发展速度较快的产业领域。我国湿电子化学品2012年市场规模仅为34.81亿元，到2018年已增至79.62亿元，而2021年湿电子化学品市场规模预计超过100亿元。湿电子化学品（又称电子级试剂、超净高纯化学试剂、工艺化学品、湿化学品等）一般主体成分纯度大于99.99%，是电子行业湿法制程的关键材料，常用于湿法刻蚀、清洗等微电子、光电子湿法工艺制程，约占集成电路制造成本的5%。湿电子化学品湿电子化学品可分为通用性湿电子化学品和功能性湿电子化学品。通用湿电子化学品一般为单组份、单功能、被大量使用的液体化学品，包括酸、碱、有机溶剂等，常用于集成电路、液晶显示器、太阳能电池、LED制造工艺等；功能湿电子化学品指通过复配手段达到特殊功能、满足制造中特殊工艺需求的复配类化学品，包括蚀刻液、清洗液、光刻配套试剂等，常用于半导体刻蚀、清洗等工艺中。常见湿电子化学品（数据自中国电子材料行业协会）类别湿电子化学品约占湿电子化学品总需求比例（%）合计占比估计通用湿电子化学品过氧化氢16.70%88.20%氢氟酸16%硫酸15.30%硝酸14.30%磷酸8.70%盐酸4.80%氢氧化钾3.80%氨水3.70%异丙酮2.80%醋酸1.90%功能湿电子化学品MEA等极佳溶液3.20%11.80%显影液（半导体用）2.70%蚀刻液（半导体用）2.20%显影液（液晶面板用）1.60%剥离液（半导体用）1.20%缓冲刻蚀液（BOE)0.90%湿电子化学品的国际分类标准国际半导体设备和材料协会(SEMI)根据金属杂质、控制粒径、颗粒个数和应用范围等制定了湿电子化学品国际等级分类标准。Grade1等级湿电子化学品常用于光伏太阳能电池等领域；Grade2等级湿电子化学品常用于平板显示、LED、分立器件等领域；Grade3等级湿电子化学品常用于平板显示、LED、集成电路等；Grade4等级湿电子化学品常用于集成电路等领域。IC制造不同线宽对应湿电子化学品国际等级分类标准SEMI等级IC线)控制粒径(μm)颗粒(个/mL)C1(Grade1)＞1.2≤1000≤1≤25C7(Grade2)0.8-1.2≤10≤0.5≤25C8(Grade3）0.2-0.6≤1≤0.5≤5C12(Grade4）0.09-0.2≤0.1≤0.2*Grade5*≤0.01**国际湿电子化学品市场国际湿电子化学品市场份额的80%主要被德国的ck公司、美国的Ashland公司、Sigma-Aldrich公司、MallinckradtBaker公司、日本的Wako、Summitomo等占据。欧美传统老牌企业的湿电子化学品产品市场份额（以销售额计）约为34%,主要企业有德国巴斯夫公司、美国亚什兰集团、亚什兰化学公司、美国Arch化学品公司、美国霍尼韦尔公司、AIRPRODUCTS、德国E.Merck公司、美国AvantorPerformanceMaterials公司、ATMI公司等。日本企业约占30%的市场份额，主要企业关东化学公司、三菱化学、京都化工、日本合成橡胶、住友化学、和光纯药工业（Wako）、stella-chemifa公司等。中国台湾、韩国、中国大陆企业（即内资企业）约占全球市场份额的35%。全球湿电子化学品行业主要企业国家及地区企业名称美国霍尼韦尔、ATMI、Arch化学品、亚仕兰集团、空气化工产品、Avantor™ PerformanceMaterials德国巴斯夫、汉高、E.Merck日本关东化学、三菱化学、京都化学、东京应化、住友化学、宇部兴产、StellaChemifa、Wako、日本合成橡胶韩国东友精细化工、东进世美肯、soulbrainENG中国台湾联仕电子、台湾侨力国内湿电子化学品研究自1980年北京化学试剂研究所在国内率先研制成功适合5µm技术用的MOS级试剂开始，经过数十年积累，国内湿电子化学品企业陆续获得了G1、G2等级的化学试剂生产技术，少数部分技术领先企业已经具备G2等级化学试剂规模化生产的能力，部分产品的关键技术指标已经达到了国际G3标准的水平。2010年之后，技术领先企业的部分产品具备了G3等级的生产技术，行业进入快速发展阶段。国内的湿电子化学品目前主要生产G2、G3级别，仅部分达到G4级别，产品主要进口自欧美、日本、韩国、中国台湾的企业。湿电子化学品常用检测仪器与技术湿电子化学品的纯度和洁净度对于电子元器件产品的成品率、性能和可靠性有重要影响。仪器信息将湿电子化学品纯度及杂质分析和颗粒检测常用的仪器进行整理。湿电子化学品常用检测仪器常用仪器用途对应仪器专场（点击进入）粒度仪颗粒分析等粒度仪仪器专场电感耦合等离子体—质谱仪（ICP-MS）纯度和杂质分析等电感耦合等离子体—质谱仪（ICP-MS）仪器专场离子色谱纯度和杂质分析等离子色谱仪器专场电位滴定仪纯度和杂质分析等电位滴定仪仪器专场紫外可见分光光度计纯度和杂质分析等紫外可见分光光度计仪器专场液相色谱纯度和杂质分析等液相色谱仪器专场液质联用纯度和杂质分析等液质联用仪器专场

　　据微讯广丰消息，6月19日，半导体刻蚀设备生产项目签约仪式举行。半导体刻蚀设备生产项目由昆山基侑电子科技有限公司（以下简称“基侑电子”）投资，总投资10亿元，位于上饶高新区霞峰电子信息产业园，用地面积约30亩，主要生产晶圆刻蚀机、清洗机等设备。项目达产达标后，预计年产值可达15亿元人民币。资料显示，基侑电子成立于2011年，是一家以生产半导体湿法蚀刻清洗相关设备的企业。

　　高真空电子束蒸发镀膜机（电子束蒸镀机是在高真空条件下，采用电子束轰击材料加热蒸发的方法，在衬底上镀制各种金属、氧化物、导电薄膜、光学薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬膜等；可镀制混合物单层膜、多层膜或掺杂膜；可镀各种高熔点材料。可用于生产、科学实验及教学，可根据用户要求专门订制。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式, 通过PLC 和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制, 包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。设备特点设备具有真空度高、抽速快、基片装卸方便的特点，配备 E 型电子束蒸发源和电阻蒸发源。PID自动控温，具有成膜均匀、放气量小和温度均匀的优点。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式,通过PLC和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制,包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。线Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa恢复工作线分钟；设备构成E 型电子束蒸发枪、电阻热蒸发源组件（可选配）、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵真空机组或低温泵真空机组、旋转基片加热台、工作气路、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置 E 型电子束蒸发系统 1套 功率 6kW～10kW 其它功率(可根据用户要求选配） 坩埚 1～8只 （可根据用户要求选配） 电阻热蒸发源组件 1～4套 （可根据用户要求配装）电阻热蒸发源种类-钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件-石英舟热蒸发源组件-钨极或钨蓝热蒸发源组件-钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）-束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）操作方式手动、半自动关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验BOB半岛综合。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）OLED中试设备（G1、G2.5）其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。线年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

　　产品简介：电子半导体图像法清洁度分析系统是普勒新世纪实验按照普洛帝分析仪器事业部的规划，于2001年推向市场的成熟系统仪器；观察颗粒形貌，还可以得到粒度分布、数量、大小、平均长径比以及长径比分布等，为科研、生产领域增添了一种新的粒度测试手段；电子半导体图像法清洁度分析系统为一种图像法粒度分布测试以及颗粒型貌分析等多功能颗粒分析系统，该系统包括光学显微镜、图像测试 CCD 摄像头、三维立体载物平台、图像法颗粒分析系统软件、电脑、打印机等部分组成；为科研、生产领域增添了一种新的粒度测试手段。产品优势：测试软件具有审计追踪、权限管控、电子记录、测试标准、计量验证、报告模板、图像存储、颗粒追踪、报告输出、清洁度分析等功能；全面自动标准选择、颗粒尺寸设定、颗粒计数，或按用户设定范围计数，自动显示分析结果，并按照相关标准确定产品等级；将传统的显微测量方法与现代的图像处理技术结合的产物；软件控制分析过程，手动对焦，手动光强（颗粒清洁度测试必须人为干预进行），自动扫描，自动摄入，自动分析；专用数字摄像机将显微镜的图像拍摄及扫描；全自动膜片扫描系统，无缝拼接，数字化显微镜分析系统；R232接口数据传输方式将颗粒图像传输到分析系统；颗粒图像分析软件及平台对图像进行处理与分析；引入3D遥感三维调控技术，快速定位，快速聚焦，体验极速无卡顿测试。显示器及打印机输出分析结果；直观、形象、准确、测试范围宽以及自动识别、自动统计、自动标定等特点；避免激光法的产品缺陷，扩展检测范围；现实NAS、ISO等国际标准方法的认可；提供行业独有的“OIL17服务星”签约式服务；产品应用：航空、航天、电力、石油、化工、交通、港口、冶金、机械、汽车制造、制冷、电子、半导体、工程机械、液压系统等领域；对各类固体粉末、各类液体中的固体颗粒（非连续相测试）。执行标准：0.1~3000μm的超宽范围、超高分辨率。可根据客户要求，植入相应“图像法颗粒度”测试和评判标准。技术参数：产品型号：PLD-MPCS2.0订制要求：各类液体检测要求；测试范围: 1μm-500μm放大倍数：40X～l000X倍 zui大分辨：0.1μm显微镜误差：0.02（不包含样品制备因素造成的误差）重复性误差： 5%（不包含样品制备因素造成的误差）数字摄像头(CCD)：500万~1800万像素分析项目：粒度分布、长径比分布、圆形度分布等自动分割速度： 1秒分割成功率： 93%软件运行环境：Windows 10接口方式：RS232或USB方式精 确 度：±3% 典型值；重合精度：10000粒/mL（5%重合误差）；分 辨 率：95%售后服务：普洛帝中国服务中心/普研检测。

　　快速检测BOB半岛综合，快速行动微电子和半导体检查系统 DM3 XL检测速度在微电子和半导体行业的检查、过程控制或缺陷和故障分析中至关重要。您发现缺陷的速度越快，您可以做出更快的反应。大视野——视野增加30％DM3 XL检测系统视野开阔，可让您的团队更快地发现缺陷并提高合格率。利用独特的宏观物镜增加的30％视野。 视野更大，效率更高看到更多意味着更快地工作。为了快速扫描6英寸以下的大型组件，DM3 XL提供了独特的微距物镜。放大倍数为0.7倍，它可以立即捕获35.7毫米的视场-比其他常规扫描物镜大30％。有了宏观目标，缺陷就没有机会了：提高产量可靠地检测到晶圆边缘或中心的显影不足检测不均匀的径向膜厚度 LED适用于所有对比方法DM3 XL将LED照明用于所有对比方法。LED照明提供恒定的色温，并提供所有强度级别的真实彩色成像BOB半岛综合。 在所有强度级别上逼真的彩色成像免调整无需更换灯泡-无需停机可重复的结果由于使用寿命长且功耗低，LED还具有巨大的成本节省潜力。 光学高性能使用DM3 XL，您可以以可承受的价格享受卓越的光学效果。用倾斜照明检查侧面，边缘或碎片：从不同角度照亮样品，这是可视化地形图的简便有效方法。通过深入的暗场对比度检测样品下层中的微小划痕或小颗粒。灵敏度和分辨率的急剧提高会让您震惊。 各种样品–可变台插入无论您要检查哪种样品大小和样品类型，都可以从各种载物台中进行选择：载物台尺寸：150毫米x 150毫米舞台插件：金属插件，晶圆支架或掩模支架快速粗台或精台定位 舒适直观地工作彩色编码膜片助手（CCDA）简化了分辨率，对比度和景深的基本设置，有助于加快工作速度并减少操作错误。简单直观的功能使您的团队可以更快地提供可靠的结果。借助易于触及的控件，可在切换对比度或照明时将手放在显微镜上，将眼睛放在样品上用右手轻松操作光强度控制器使用可变的ErgoTubes和聚焦旋钮将显微镜调整到不同的身高

　　背景介绍电子半导体行业近几年发展特别快， 随之而来的是生产过程中产生了大量的有毒有害废水，包括酸碱废水、含氟废水、金属废水、有机废水、氰化物废水等，这些废水必须经过处理达标后才能排放。 目前， 电子半导体行业没有针对性的污染物排放标准发布， 其执行的标准仍为 《污染物综合排放标准》，但是，电子半导体企业对废水排放有严格的内控指标。电子半导体企业除了监控 COD、氨氮等常规指标外，也非常重视砷、铅等一类重金属污染物的排放量。厦门某电子公司于 2015 年采购了一台 XOS 总砷分析仪，用于排口废水总砷监测，测试数据通过 MODBUS 通讯(仪表自带 RS485 接口)传输至 PLC，实时上传至当地环保局。仪表从企业正常生产后开始运行，连续运行两个多月无需维护，测量数据稳定，用户反馈较好。更多关于本案例的详情，请您下载后查看。

　　本文描述了一种独特的、特定位点的n型掺杂机制，用两种有机半导体的单晶做实验，用特定位点的消除电子陷阱并增加背景电子浓度，使晶体拥有更优异的导电性。掺杂晶体组成的场效应晶体管（FET）的电子传输特性得到显著改善。增强了FET的电特性。表面化学掺杂是专门针对晶体层间边界，即已知的电子陷阱，钝化陷阱并释放流动电子设计的掺杂方法。化学方法掺杂对晶体的电子传输的影响是巨大的，FET中电子迁移率增加了多达10倍，并且其与温度相关的行为从热激活转变为带状。研究结果表明新的位点掺杂有机半导体的策略与传统的随机分布取代的氧化还原化学不同， 这个有趣的结果表明针对特定位点的掺杂可能是一种富有成效的新的有机半导体材料掺杂的策略，拓展了有机半导体材料在电子学方面的应用前景。

　　使用扫描电镜研究半导体和微电子设备时，需要尽可能的获取最全面的信息。因此灵活地选择和使用操作参数(加 速电压、样品倾斜, 扫描时间等), 以及采取正确的分析方法，都是非常重要的。

　　半导体致冷器(TE)也叫热电致冷器,是一种热泵，它的优点是没有滑动部件,应用在一些空间受到限制,可靠性要求高,无致冷剂污染的场合。半导体致冷器的工作运转是用直流电流，它既可致冷又可加热，通过改变直流电流的极性来决定在同一致冷器上实现致冷或加热,这个效果的产生就是通过热电的原理。 半导体致冷器是利用半导体材料的珀尔帖效应制成的。所谓珀尔帖效应，是指当直流电流通过两种半导体材料组成的电偶时，其一端吸热，一端放热的现象。重掺杂的Ｎ型和Ｐ型的碲化铋主要用作ＴＥＣ的半导体材料，碲化铋元件采用电串联，并且是并行发热。ＴＥＣ包括一些Ｐ型和Ｎ型对（组），它们通过电极连在一起，并且夹在两个陶瓷电极之间；ＴＥＣ组件每一侧的陶瓷电极的作用是防止由ＴＥＣ电路引起的激光器管芯的短路；ＴＥＣ的控制温度可达３０℃－４０℃，当有电流从ＴＥＣ流过时，电流产生的热量会从ＴＥＣ的一侧传到另一侧，在ＴＥＣ上产生&Prime 热&Prime 侧和&Prime 冷&Prime 侧，这就是ＴＥＣ的加热与致冷原理。是致冷还是加热，以及致冷、加热的速率，由通过它的电流方向和大小来决定。在实际应用中，ＴＥＣ通常安装在热沉和组件外壳之间。其冷侧与激光器芯接触，起到致冷作用，它的热侧与散热片接触，把热量散到外部去，这也只是一种最普遍的情况。在对激光器工作温度的稳定性要求较高的场所，一般都采用双向温控，即在常温和高温时对激光器制冷，在低温环境中则制热；半导体致冷器在电流方向逆转时，原来的冷端和热端的位置就互换；则贴近激光器芯的一则就变成了热端，对激光器芯加热。

　　小型半导体恒温恒湿试验箱；中型恒温恒湿试验箱售后服务◆负责将设备运输到客户指定地点的一楼，并承担相关费用◆工程师亲自上门，免费安装调试设备至正常运作◆工程师会免费培训贵公司设备使用人员，使其具备日常操作及维护之能力◆发货之日起，对设备进行免费保固壹年（天灾、电力异常、操作及保养不当、自行检修或改装而造成的损坏除外）；半年一次到厂定期保养；技术支援终生免费◆我司技术力量雄厚，对其他厂家的环试产品（包含国外同类产品）也能提供维修、改造、升级和长期的维护服务，欢迎来电咨询。小型半导体恒温恒湿试验箱；中型恒温恒湿试验箱安全功能：1.独立限温报警系统，超过限制温度即自动中断运行，并声光报警提示操作者。保证实验安全运行不发生意外。2.温度偏高、偏低和超温报警。3.压缩机过热、过流、过载保护，风机过热保护，缺水保护等。方便的数据处理（选配)可连接打印机或485通讯接口，具有USB数据转移接口（U盘），用电脑显示，并打印温湿度和时间曲线，为试验过程数据储存与回放提供有力保证。用途范围：小型半导体恒温恒湿试验箱；中型恒温恒湿试验箱适用于生物化工、航空航天产品、信息电子仪器仪表、材料、电工、电子产品、各种电子元器件在高低温或湿热环境下，检验其各项性能指标。小型半导体恒温恒湿试验箱；中型恒温恒湿试验箱产品特点：1.国际品牌压缩机和循环风机，使温度分布均匀。环保制冷剂（R134a）效率高，能耗低，促进节能。2.独特风道循环系统，保证工作室温湿度均匀，直径￠25mm测试孔，便于操作于测试。3.采用进口304镜面不锈钢内胆，四角半圆弧过渡，搁板支架可以自由装卸，便于箱内的清洗工作。4.多段可编程控制，可以简化复杂的试验过程，真正实现自动控制和运行。（交变箱具有此功能）产品设计：1.顺应世界环保潮流，全新无氟设计，绿色环保。2.采用干湿球式或电容式湿度传感器，多功能多段可编程温湿度控制器，模糊PID控制器，控温控湿精确波动小。3.进口温湿度控制器寿命长，高精度CFL20字×6行LCD显示器，键盘输入，操作简便。小型半导体恒温恒湿试验箱；中型恒温恒湿试验箱规格型号：型号AP-HX-80AP-HX-150AP-HX-225AP-HX-408AP-HX-800AP-HX-1000内容积(L)000内部尺寸(cm)40×50×4050*60*5050×75×6060×85×80100×100×85100×100×100外部尺寸(cm)90*90*15095*150*10595×165×115105×175×135145×190×135145×190×155重量(Kg)700性能温度范围-73℃，-60℃-40℃，-20℃，0℃， 150℃， 180℃湿度范围20%RH～98%RH温度波动度±0.5℃升温速率≥3°C/min降温速率≥1°C/min材料内体材料SUS304镜面不锈钢板外壳材料SUS304拉丝不锈钢板或防锈处理冷轧钢板（喷塑）绝缘材料恒温恒湿箱专用超细玻璃棉 聚胺脂泡沫调节器制冷方式机械式二元制冷方式制冷机全封闭（法国泰康或德国谷轮）压缩机制冷剂R23/ R404A冷凝方式风冷或水冷加热器镍铬合金不锈管加热器鼓风机离心风机气流方式宽带式强迫气流循环（上出下进）控制器操作界面恒温恒湿机专用液晶触摸显示屏，中英文切换运转方式恒定运转BOB半岛综合、程序运转程序记忆容量120组可编程序、每个程序最大999（段）设定指标范围温度：-100℃ 300℃分辨率温度：0.01℃输入PT100或T型热电偶控制方式PID控制通讯功能恒温恒湿机专用RS-232接口(配送光盘)打印功能日本横河6点记录仪（选购件）附属功能上下限报警、自诊断、报警显示（故障原因）、定时装置（自动开机、关机）

　　色谱仪器温度电子器件 —— 半导体制冷器 概述半导体制冷器基于特殊半导体材料的热电效应（帕尔贴效应）原理实现制冷功能，体积和重量较小、工作噪声低、无有害物质排放、制冷效果不受空间方向与重力影响、可以方便的控制切换制冷/加热状态，但制冷效率较低，功耗较大、一般用于空间较小或制冷量需求较低的场合，例如电子设备中某些部件的冷却或者便携式冰箱。简介气相色谱仪某些部件（如进样口或柱温箱）、气相色谱外围设备中的某些部件（例如二次热解析的冷阱）、液相色谱仪的柱温箱、自动进样器样品架或者检测器在某些特殊分析条件中的工作温度要求低于室温，在此情况下分析仪器系统需要装备制冷功能部件，常用的有液氮制冷、液态二氧化碳制冷或者半导体制冷器。将两种不同材料的导体组成一个闭合环路时，只要两个结合点T和T0的温度不同，在该回路中就会产生电动势，此种现象称为塞贝克效应（Seebeck effect，属于热电效应），回路产生的相应电动势称为热电势。塞贝克效应是可逆的，在两种不同材料导体构成的回路中提供直流电源，则在导体的两个结合点T和T0将会产生温差，此种效应称为帕尔贴效应（Peltier effect），导体A、B组成的回路称为帕尔贴元件，其结构如图1所示。图1 帕尔贴元件的结构由于电荷载体在不同的材料中处于不同的能级，当它从高能级向低能级运动时，便释放出多余的能量；相反，从低能级向高能级运动时，从外界吸收能量。能量在两材料的交界面处以热的形式吸收或放出。这一效应是可逆的，如果电流方向反过来，吸热便转变成放热。帕尔贴元件吸收或者释放的热量与电流成正比。帕尔贴元件吸收或释放的热量与通过帕尔贴元件的电流满足以下公式：Q = ( π A ? π B ) I式中 Q - 热量??π A - 导体A的帕尔贴系数π B - 导体B的帕尔贴系数金属材料由帕尔贴效应产生的温度变化较弱，一般使用特殊半导体材料制作帕尔贴元件，称为半导体制冷器，其外观如图2所示。半导体制冷器与其他常见制冷方式相比，具有如下特点：1、 无需使用制冷剂，可以连续工作、无污染、体积和重量小。2、 工作时无机械振动，运行噪音低，使用寿命长，容易安装。3、 半导体制冷器本身具有制冷和加热功能，可以用单一部件实现较宽范围温度控制。例如某些小体积的液相色谱仪柱温箱的温度控制器，使用帕尔贴元件即可实现室温附近范围的温度控制。4、半导体制冷器控制方式较为简单，可以通过调整其工作电流的大小和方向实现温度控制。4、半导体制冷器惯性较小，制冷制热速度较快。5、半导体制冷器制冷效率相对较低，功耗较大。 图2 半导体制冷器外观 小结半导体制冷器的基本原理和使用注意事项。

　　为宣传和贯彻获准发布的9项半导体照明行业标准，中国电子技术标准化研究所、工业和信息化部半导体照明技术标准工作组定于2010年1月24-25日在广东省江门市举行2010年全国半导体照明电子行业标准发布及宣贯大会。本次大会得到工业和信息化部、广东省经济和信息化委员会、江门市人民政府及国内外上中下游厂商的大力支持。出席本次大会的领导有工业与信息化部科技司韩俊副司长、电子信息司丁文武副司长、关白玉副巡视员、广东省经济和信息化委员会彭平副主任，中国电子技术标准化研究所张宏图副所长、江门市人民政府常务副市长吴紫骊、副市长易中强等领导，共汇集了国内外上中下游重要厂商、研究机构、行业协会以及政府机构等代表400多人报名参会。 此次大会发布的标准包括《SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范》、《SJ/T 11394-2009半导体发光二极管测试方法》、《SJ/T 11396-2009 氮化镓基发光二极管用蓝宝石衬底片》、《SJ/T 11397-2009 半导体发光二极管用荧光粉》、《SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范》、《SJ/T 11399-2009半导体发光二极管芯片测试方法》、《SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件小功率发光二极管空白详细规范》、《SJ/T 11401-2009半导体发光二极管产品系列型谱》以及《SJ/T 11395-2009半导体照明术语》共9项，涵盖LED材料、芯片、器件及相关检验测试方法等领域。 大会邀请了工业和信息化部半导体照明技术标准工作组各项标准起草专家分别对9项电子行业标准进行详细讲解，主要讲师包括中国光电协会副秘书长胡爱华、中电十三所张万生教授、浙大三色董事长牟同升、深圳淼浩总经理李明远、有研稀土研发主任庄卫东等，他们现场讲解标准的技术内容、测试方法操作时应注意的问题以及产品规范类标准编写实例等。

　　问题描述：什么是半导体？解答：半导体是导电性质介于导体和绝缘体之间的材料。我们现代生活中的电子产品使用的集成电路，就是由半导体材料经过几百次的工序，制作成芯片后，封装而成。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，其中硅是各种半导体材料中应用最广泛的。常用的半导体材料硅（Si）和锗（Ge）均为四价元素，它们的最外层电子既不像导体那么容易挣脱原子核的束缚，也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧，在常温下导电性介于二者之间。在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素时，导电性能具有可控性，并且，在光照和热辐射条件下，其导电性还有明显的变化，这些特殊的性质就决定了半导体可以制成各种电子器件，如晶体管、二极管、电阻器和电容器等。 导体，绝缘体，半导体比较以上内容来自仪器信息网《ICP-MS实战宝典》

　　n型有机半导体材料-上海甄准近年来，有机薄膜场效应晶体管（OTFT）因其在轻薄、可弯折、个性时尚的有机电子产品方面有广阔的应用前景，成为有机电子学中的研究热点。p型和n型有机半导体材料对于OTFT的发展同等重要，因为由p型和n型OTFT共同构筑的有机互补电路具有功耗低、操作速度快、噪声容限大等优点，可广泛用于各种有机数字电路，是实现有机电子器件应用的基础。然而，目前n型有机半导体材料的发展远远落后于p型有机半导体材料，具有高电子迁移率、空气稳定、可溶液加工性质的n型有机半导体材料极为短缺，大大限制了OTFT相关的柔性电子器件及有机电路的发展。上海甄准生物提供n型有机半导体材料。产品信息：货号品名英文品名CASNo.纯度规格32235068富勒烯C60(纯)FullereneC60(pure).99685-96-899.5%(HPLC)100mg/1g32235069富勒烯C70FullereneC70.115383-22-798.0%(HPLC)100mg32235070