BOB半岛综合长鑫存储申请半导体结构专利可提高半导体结构的集成度

　　BOB半岛综合专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法BOB半岛综合、半导体结构和半导体存储器，该方法包括：提供衬底；于衬底上方形成堆叠结构；对堆叠结构进行图案化处理，将堆叠结构分割为沟道区域、第一源漏区域和第二源漏区域；其中，沟道区域沿第二方向延伸，第一源漏区域和第二源漏区域均沿第一方向延伸BOB半岛综合，且第一源漏区域和第二源漏区域位于沟道区域的同一侧；于第一源漏区域和第二源漏区域中分别形成沿第一方向延伸的第一源漏结构和第二源漏结构；于沟道区域中形成沿第二方向延伸的沟道结构BOB半岛综合。本方法能够提高半导体结构的集成度BOB半岛综合，缩小半导体结构的面积BOB半岛综合。