日本研究机构预测：2024年功率半导体晶圆市场规模将同比增长BOB半岛综合234%

　　BOB半岛综合近日，日本市场研究公司富士经济发表了一份研究报告《功率器件晶圆市场的最新趋势和技术趋势》，总结了功率半导体晶圆市场的研究结果。

　　报告称，2024年功率半导体市场预计将比上年增长23.4%，达到2813亿日元。虽然硅功率半导体硅片市场因库存调整而较上年下滑，但由于各大厂商产能增加，SiC裸片销量预计同比增长56.9%，超过硅片市场。

　　此外，从2025年起，随着功率半导体需求的不断增长，市场预计将扩大。特别是，由于汽车电动化带来的需求增加，SiC裸片有望成为长期市场驱动力，硅片也有望摆脱产量调整的影响BOB半岛综合。此外，我们还可以期待GaN晶圆直径的增加以及氧化镓晶圆开始量产等附加内容，预计2035年市场规模将扩大至10,763亿日元，是2023年的4.7倍。

　　尽管功率半导体市场尚未兴起，但金刚石晶圆、氮化铝晶圆BOB半岛综合、二氧化锗晶圆等下一代技术正在开发中，其实际应用值得期待。

　　报告指出，近年来，随着功率半导体需求的增加，为了确保供应量，晶圆的直径不断增加。除了转向300mm硅晶圆外，SiC裸晶圆市场预计从2025年起8英寸（200mm）晶圆将真正起飞。此外，正在开发用于功率半导体的 6 英寸（150 毫米）GaN 晶圆和氧化镓晶圆。

　　不过，目前硅功率半导体大部分由8英寸晶圆供货，预计未来8英寸晶圆占比仍将超过60%（基于晶圆数量）。 300mm晶圆越来越多地用于IGBT和MOSFET，随着汽车和电气设备领域需求的增加，其采用预计将进一步增加，未来除某些器件外，8英寸和300mm晶圆将分开。是期待。

　　此外，目前SiC裸片以6英寸为主BOB半岛综合，预计这种情况还将持续一段时间，但8英寸晶圆市场预计从2025年开始形成，部分样品出货已经开始预计到2035年，其将占所有 SiC 裸晶圆（以晶圆数量计）的13.3%。然而，传统4英寸晶圆预计仅在中国和日本等部分地区部署BOB半岛综合BOB半岛综合。预计未来市场规模将会缩小。