BOB半岛综合能华半导体技术研讨会圆满落幕 行业专家齐聚一堂共话未来

　　BOB半岛综合近日，江苏能华微电子科技发展有限公司（简称“能华半导体”），在东莞举办了技术研讨会和客户答谢宴。此次活动旨在分享最新的氮化镓行业技术进展，探讨行业趋势BOB半岛综合，并加强公司与客户的交流合作。

　　能华半导体于2010年成立，是国内领先的专注于第三代半导体GaN的高新技术企业，核心团队汇聚了从外延到器件设计、制造工艺，封装和测试到应用模块等各个环节的科技创新型资深专家，是全球为数不多同时掌握增强型GaN技术、耗尽型GaN技术以及耗尽型GaN直驱方案的半导体公司，自成立至今已获得专利100多项。总部位于江苏苏州，在加州硅谷、深圳均设有研发基地和市场销售中心BOB半岛综合。

　　复旦大学教授黄伟指出，GaN功率器件在高频快充等应用中表现出众，未来在AI人工智能发展背景下，GaN技术将生机无限。南京大学教授陆海介绍了GaN功率器件在瞬态能量冲击、浪涌电流应力等工况下的可靠性表征平台BOB半岛综合，并详细讲解了在航天抗辐照应用中的测试成果。东南大学博士李胜则全面对比了级联型GaN功率HEMT器件与硅基超结MOSFET器件的电学参数，阐述了GaN功率HEMT器件的电学特性优势及其设计优化方向。华南理工大学教授李宗涛分享了电子散热技术的最新进展，提出了异构集成近结散热的新设计思路。

　　此外，能华半导体的CTO李亦衡介绍了能华半导体在D-mode和E-mode GaN器件方面的现状和未来规划，能华半导体外延副总夏远洋阐述了提升GaN材料耐压水平和GaN材料的外延优势与挑战BOB半岛综合，能华半导体研发副总武乐可详细介绍了能华半导体GaN产品的制造工艺、市场表现以及产品介绍。能华半导体应用副总章涛分享了GaN功率器件在新能源电动汽车等多元化应用中的巨大潜力和机遇BOB半岛综合，并提出应对现有技术挑战的策略。能华半导体战略合作伙伴陈扬则详细介绍了单级式谐振变换器的设计与应用优势，展示了该技术在氮化镓器件中的实际应用案例。