上海积塔半导体申请半导体结构相关专利避免因相邻膜层刻蚀选择比过大形成底切结构BOB半岛综合

　　BOB半岛综合金融界 2024 年 9 月 10 日消息，天眼查知识产权信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构“，公开号 CN2.9 ，申请日期为 2024 年 6 月 。

　　专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：提供基底；基底包括衬底BOB半岛综合、位于衬底内且沿第一方向间隔排布的多个有源区，以及位于有源区之间的衬底上的栅极结构；于基底上形成叠层结构；在相同的刻蚀条件下，刻蚀叠层结构，形成多个接触孔；接触孔暴露出栅极结构和有源区；其中，叠层结构中靠近基底的子层的刻蚀速率小于叠层结构中远离基底的子层的刻蚀速率BOB半岛综合。由于叠层结构包括多个子层BOB半岛综合，叠层结构中各子层越靠近基底，刻蚀速率越小，从而可保护基底，同时，由于叠层结构中各子层的刻蚀速率是逐渐变化的，因此BOB半岛综合，避免了因相邻膜层之间的刻蚀选择比过大形成底切结构BOB半岛综合。