江苏芯德半导体取得一种含高中低密度芯片的封装结构专利结合芯片埋入技术及 RDL 技术实现不同凸块密度的互联BOB半岛综合

　　BOB半岛综合金融界 2024 年 9 月 10 日消息，天眼查知识产权信息显示，江苏芯德半导体科技有限公司取得一项名为“一种含高中低密度芯片的封装结构“，授权公告号 CN0.XBOB半岛综合，申请日期为 2023 年 12 月。

　　专利摘要显示，本实用新型公开了一种含高中低密度芯片的封装结构BOB半岛综合BOB半岛综合，在基板内预埋有第二芯片，基板的背面贴装有第三芯片，第三芯片与基板之间填充有填充料三，重分布层贴装有第一芯片，第一芯片与重分布层之间具有填充料一BOB半岛综合，重分布层上设有塑封层，塑封层包裹第一芯片，塑封层内设有将重分布层和/或第一芯片的电路引出的铜柱，铜柱上植有焊球一，载有封装后的第一芯片的重分布层倒装于基板的正面，焊球一与基板连接，塑封层与基板之间填充有填充料二，重分布层的背面植有焊球二，第一、第二、第三芯片分别为高、中BOB半岛综合、低的凸块密度的芯片。本实用新型结合芯片埋入技术及 RDL 技术实现不同凸块密度的芯片互联，提供了一种性价比较高的含高中低密度芯片的封装结构。

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