BOB半岛综合上海积塔半导体申请半导体结构及其制备方法专利提高器件性能

　　BOB半岛综合金融界2024年9月17日消息，天眼查知识产权信息显示BOB半岛综合，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“，公开号 CN5.8BOB半岛综合BOB半岛综合，申请日期为 2024 年 6 月。

　　专利摘要显示，本发明提供了一种半导体结构及其制备方法BOB半岛综合。本发明利用 DTI 和 STI 重叠版图，将 STI 制程的沟槽氧化物材料沉积以及平坦化等工艺制程同样用于 DTI 制程上，减少热制程，进而减少热制程所产生的应力，以减少对于器件的干扰，提高器件性能。此外由于合并部分的制程，因此可减少各自独立制程时的成本。最重要的是BOB半岛综合，这种新制程下，STI 环绕 DTI 设置，DTI 的轮廓不会有硅基脚，进一步提高器件性能。