BOB半岛综合台积电取得半导体装置专利可进行高效集成

　　BOB半岛综合金融界2023年12月2日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置”，授权公告号CN220121845U，申请日期为2023年5月。

　　专利摘要显示，该半导体装置包括多个纳米结构BOB半岛综合、设置在多个纳米结构的各个纳米结构上的一栅极介电层、设置在栅极介电层及多个纳米结构上的一栅极电极，以及相邻于纳米结构的一源极/漏极区。源极/漏极区包括一外延结构BOB半岛综合，该结构具有一多边形上部及一个柱形下部，多边形上部具有多个刻面，每个刻面的特征为(111)结晶取向。多边形上部还包括相邻于具有(111)结晶取向的两个刻面的相交处的多个角落区，以及与角落区接触的一外延基体区BOB半岛综合。角落区特征为具有一第一掺杂物浓度BOB半岛综合，外延基体区特征为具有一第二掺杂物浓度，第一掺杂物浓度高于第二掺杂物浓度BOB半岛综合。