BOB半岛综合长鑫存储申请半导体结构及其制造方法专利实现半导体结构的优化布局

　　BOB半岛综合专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法BOB半岛综合BOB半岛综合，所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上的第一晶体管列和第二晶体管列，所述第一晶体管列与所述第二晶体管列交替排列BOB半岛综合，所述第一晶体管列包括沿第一方向排布的多个第一晶体管，所述第二晶体管列包括沿第一方向排布的多个第二晶体管，所述第一晶体管列的多个第一晶体管与所述第二晶体管列的第二晶体管一一对应电连接；其中BOB半岛综合，所述第一晶体管与所述第二晶体管的长度方向相同，且所述第一晶体管的中心与所述第二晶体管的中心在所述第一方向上存在偏移BOB半岛综合。