晶合集成取得半导体器件及其制作方法专利有助于改善半导体器件的漏电问题BOB半岛综合

　　BOB半岛综合专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件的制作方法中，提供的半导体衬底内形成有第一掺杂区BOB半岛综合，第一掺杂区具有第一导电类型，再在半导体衬底的顶面上形成外延层BOB半岛综合，其中，外延层包括层叠的第一外延层和第二外延层，第一外延层和第二外延层的材质相同，第一外延层的厚度小于第二外延层的厚度BOB半岛综合，第一外延层的沉积温度小于第二外延层的沉积温度，第一外延层的沉积速度大于第二外延层的沉积速度BOB半岛综合，如此第一掺杂区的掺杂物质扩散到第一掺杂区侧上方的外延层中的扩散范围可以缩小，有助于改善半导体器件的漏电问题。本发明的半导体器件利用上述的半导体器件的制作方法制成BOB半岛综合。